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VBsemi Elec HAT2068RJ-VB

Hersteller
VBsemi ElecAsian Brands
Herst.-Teilenr.
HAT2068RJ-VB
LCSC-Nr.
C19711243
Verp.
SO-8
Kundennummer
Hauptmerkm.
MOSFET N-CH 30V 13A SO-8
DatenblattVBsemi Elec HAT2068RJ-VB
Alternativteile5
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Stk.E-PreisGesamtbetrag
5+$ 0.3316$ 0.2819$ 1.41
50+$ 0.2604$ 0.2214$ 11.07
150+$ 0.2299$ 0.1955$ 29.33
500+$ 0.1918$ 0.1631$ 81.55
2,500+$ 0.1749$ 0.1487$ 371.75
4,000+$ 0.1647$ 0.1400$ 560.00
Standardgehäuse4000/Full Reel
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Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
HerstellerVBsemi Elec
Verp.SO-8
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage30V
Output Capacitance(Coss)165pF
Current - Continuous Drain(Id)13A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))3V
Pd - Power Dissipation4.1W
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)73pF
RDS(on)11mΩ@4.5V
Number1 N-channel
Input Capacitance(Ciss)800pF
Gate Charge(Qg)15nC
Vgs±20V
TypeN-Channel

Merkmale

KI-Übersetzung
  • Halogen-free
  • Trench power MOSFET
  • Optimized for high-side synchronous rectifier operation
  • 100% Rg tested
  • 100% UIS tested

Anwendungen

KI-Übersetzung
  • Laptop CPU core
  • High-end switching

Alternativteile

MPNHerstellerAlternativtypVerpackungVerfügbarkeitStückpreis
FDS6690A-VBVBsemi ElecÄhnlicheSO-825$0.4159 $0.4377
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