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VBsemi Elec FDD8874-VB

Hersteller
VBsemi ElecAsian Brands
Herst.-Teilenr.
FDD8874-VB
LCSC-Nr.
C18794999
Verp.
TO-252
Kundennummer
Hauptmerkm.
MOSFET N-CH 30V 100A TO-252
DatenblattVBsemi Elec FDD8874-VB
Alternativteile5
Garantie auf jede Bestellung
100% Authentisch · 30-Tage-Rückgabe oder -Umtausch

Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
HerstellerVBsemi Elec
Verp.TO-252
Operating Temperature-55℃~+175℃
Drain to Source Voltage30V
Output Capacitance(Coss)-
Current - Continuous Drain(Id)100A
Pd - Power Dissipation235W
RDS(on)3mΩ@4.5V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)103nC@4.5V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.5V
TypeN-Channel
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Merkmale

KI-Übersetzung
  • Trench power MOSFET
  • 100% Rg and UIS tested
  • Compliant with EU RoHS Directive 2011/65/EU

Anwendungen

KI-Übersetzung
  • OR gate
  • Server
  • DC/DC