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VBsemi Elec NDD04N60ZT4G-VB
| Fabricante | VBsemi ElecAsian Brands |
| Cód. da peça | NDD04N60ZT4G-VB |
| Nº LCSC | C18794918 |
| Emb. | TO-252 |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-252 |
| Folha de Dados | VBsemi Elec NDD04N60ZT4G-VB |
| Peças alternativas | 5 |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VBsemi Elec | |
| Emb. | TO-252 | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.912nF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.417nF | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 7pF | |
| RDS(on) | 3.9Ω@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 48nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VBsemi Elec | |
| Emb. | TO-252 | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.912nF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.5A |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Ciss-Input Capacitance | 1.417nF | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 7pF | |
| RDS(on) | 3.9Ω@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 48nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Type | N-Channel |
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Recursos
Tradução por IA
- Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement Available
- Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness
- Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current
- Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
Aplicações
Tradução por IA
- Synchronous rectification in SMPS
- Hard-switching and high-speed DC/DC circuits for telecom and industrial applications
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| Qtd. | Preço unit.(Apenas para referência) | Valor total |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.7559 | $ 0.76 |
| 10+ | $ 0.6386 | $ 6.39 |
| 30+ | $ 0.5881 | $ 17.64 |
| 100+ | $ 0.5262 | $ 52.62 |
| 500+ | $ 0.4643 | $ 232.15 |
| 1,000+ | $ 0.448 | $ 448.00 |
Encapsulamento Padrão2500/Full Reel | ||
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Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VBsemi Elec | |
| Emb. | TO-252 | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.912nF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.417nF | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 7pF | |
| RDS(on) | 3.9Ω@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 48nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | VBsemi Elec | |
| Emb. | TO-252 | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.912nF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.5A |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Ciss-Input Capacitance | 1.417nF | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 7pF | |
| RDS(on) | 3.9Ω@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 48nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Type | N-Channel |
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Recursos
Tradução por IA
- Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement Available
- Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness
- Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current
- Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
Aplicações
Tradução por IA
- Synchronous rectification in SMPS
- Hard-switching and high-speed DC/DC circuits for telecom and industrial applications
C18794918 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Peças alternativas
| MPN | Fabricante | Tipo alternativo | Embalagem | Disponibilidade | Preço unitário | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FR420BTM-VB | VBsemi Elec | Similares | TO-252 | 40 | $0.4738 $0.5574 | ||
| IRFR420PBF-VB | VBsemi Elec | Similares | TO-252 | 15 | $0.4738 $0.5574 | ||
| SIHD3N50D-GE3-VB | VBsemi Elec | Similares | TO-252 | 50 | $ 0.57 | ||
| STD3NK60ZT4-VB | VBsemi Elec | Similares | TO-252 | 15 | $0.4684 $0.551 | ||
| 2SK3124-VB | VBsemi Elec | Similares | TO-252 | 20 | $0.4508 $0.5303 |