JSMSEMI PBSS4350Z-JSM

제조업체	JSMSEMIAsian Brands
제조사 품번	PBSS4350Z-JSM
LCSC 번호	C18195215
포장	-
고객 번호
주요 제원	50V 300 3A NPN 1 NPN Single Bipolar Transistors RoHS
데이터시트	JSMSEMI PBSS4350Z-JSM

제품 사양

전체

타입	설명
카테고리	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
제조업체	JSMSEMI
포장	-
Current - Collector Cutoff	100nA;50uA
Operating Temperature	-65℃~+150℃
Transition frequency(fT)	100MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO	50V
Emitter-Base Voltage VEBO	5V
DC Current Gain	300
Current - Collector(Ic)	3A
Pd - Power Dissipation	300mW;480mW;540mW;1.2W
type	NPN
Number	1 NPN
Vce Saturation(VCE(sat))	80mV;160mV;280mV;260mV;370mV

타입	설명
카테고리	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
제조업체	JSMSEMI
포장	-
Current - Collector Cutoff	100nA;50uA
Operating Temperature	-65℃~+150℃
Transition frequency(fT)	100MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO	50V

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카테고리	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
제조업체	JSMSEMI
포장	-
Current - Collector Cutoff	100nA;50uA
Operating Temperature	-65℃~+150℃
Transition frequency(fT)	100MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO	50V
Emitter-Base Voltage VEBO	5V
DC Current Gain	300
Current - Collector(Ic)	3A
Pd - Power Dissipation	300mW;480mW;540mW;1.2W
type	NPN
Number	1 NPN
Vce Saturation(VCE(sat))	80mV;160mV;280mV;260mV;370mV

타입	설명
카테고리	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
제조업체	JSMSEMI
포장	-
Current - Collector Cutoff	100nA;50uA
Operating Temperature	-65℃~+150℃
Transition frequency(fT)	100MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO	50V