LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
JSMSEMI IPD30N06S2-15-JSM product image
Zdjęcia poglądowe

JSMSEMI IPD30N06S2-15-JSM

Producent
JSMSEMIAsian Brands
Nr części prod.
IPD30N06S2-15-JSM
Nr LCSC
C18194105
Opak.
TO-252
Numer Klienta
Klucz. cechy
60V 30A 40W 40mΩ@4.5V 1 N-channel N-Channel TO-252 Single FETs, MOSFETs RoHS
Karta KatalogowaJSMSEMI IPD30N06S2-15-JSM
Zgodność z RoHS6 dokumentów dostępnych
Części alternatywne5
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProducentJSMSEMI
Opak.TO-252
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage60V
Output Capacitance(Coss)90pF
Current - Continuous Drain(Id)30A
Ciss-Input Capacitance1.7nF
Pd - Power Dissipation40W
Reverse Transfer Capacitance (Crss)65pF
RDS(on)40mΩ@4.5V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)20nC@30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.5V
TypeN-Channel
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >

Opis

Tłumaczenie AI

This N-channel MOSFET utilizes advanced trench technology and design to deliver excellent on-resistance (RDS(on)) with low gate charge. It is suitable for a wide range of applications.

Funkcje

Tłumaczenie AI
  • Drain-source voltage (VDS) = 60V, drain current (ID) = 30A, on-resistance (RDS(ON)) < 30mΩ at gate-source voltage (VGS) = 10V
  • Low gate charge
  • RoHS-compliant devices available
  • Ultra-low RDS(ON) achieved with advanced high cell density trench technology
  • Excellent package thermal dissipation performance