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EDA 모델EasyEDA
JSMSEMI IPD400N06NG-JSM
| 제조업체 | JSMSEMIAsian Brands |
| 제조사 품번 | IPD400N06NG-JSM |
| LCSC 번호 | C18193185 |
| 포장 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | 60V 30A 40W 30mΩ@10V 1 N-channel N-Channel TO-252 Single FETs, MOSFETs RoHS |
| 데이터시트 | JSMSEMI IPD400N06NG-JSM |
| RoHS 준수 | 6개 문서 이용 가능 |
| 대체 부품 | 5 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | JSMSEMI | |
| 포장 | TO-252 | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 90pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.7nF | |
| Pd - Power Dissipation | 40W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 65pF | |
| RDS(on) | 30mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Type | N-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | JSMSEMI | |
| 포장 | TO-252 | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 90pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.7nF |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 40W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 65pF | |
| RDS(on) | 30mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Type | N-Channel |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
개요
AI 번역
This N-channel MOSFET utilizes advanced trench technology and design to deliver excellent on-resistance RDS(on) with low gate charge. It is suitable for a wide range of applications.
주요 특징
AI 번역
- VDS = 60V, ID = 30A, RDS(ON) < 30mΩ at VGS = 10V
- Low gate charge
- RoHS-compliant devices available
- Advanced high cell density trench technology for ultra-low RDS(ON)
- Excellent package with superior thermal dissipation
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| 수량 | 단가(참고용) | 총액 |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.425 | $ 0.43 |
| 200+ | $ 0.1696 | $ 33.92 |
| 500+ | $ 0.164 | $ 82.00 |
| 1,000+ | $ 0.1612 | $ 161.20 |
표준 패키지2500/Full Reel | ||
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제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | JSMSEMI | |
| 포장 | TO-252 | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 90pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.7nF | |
| Pd - Power Dissipation | 40W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 65pF | |
| RDS(on) | 30mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Type | N-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | JSMSEMI | |
| 포장 | TO-252 | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 90pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.7nF |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 40W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 65pF | |
| RDS(on) | 30mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 20nC@30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Type | N-Channel |
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개요
AI 번역
This N-channel MOSFET utilizes advanced trench technology and design to deliver excellent on-resistance RDS(on) with low gate charge. It is suitable for a wide range of applications.
주요 특징
AI 번역
- VDS = 60V, ID = 30A, RDS(ON) < 30mΩ at VGS = 10V
- Low gate charge
- RoHS-compliant devices available
- Advanced high cell density trench technology for ultra-low RDS(ON)
- Excellent package with superior thermal dissipation
C18193185 EasyEDA 라이브러리
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
대체 부품
| MPN | 제조사 | 대체 유형 | 포장 | 재고 현황 | 단가 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SUD23N06-31L-JSM | JSMSEMI | 유사 제품 | TO-252 | 205 | $0.3517 $0.3702 | ||
| 30N06-JSM | JSMSEMI | 유사 제품 | TO-252 | 0 | $ 0.425 | ||
| IRLR2905TR-JSM | JSMSEMI | 유사 제품 | TO-252 | 0 | $ 0.425 | ||
| SQD40N06-14-JSM | JSMSEMI | 유사 제품 | TO-252 | 0 | $ 0.5674 | ||
| STD16NF06-JSM | JSMSEMI | 유사 제품 | TO-252 | 0 | $ 0.307 |