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GeneSiC Semiconductor MURH7060R product image
Abbildung ähnlich

GeneSiC Semiconductor MURH7060R

Hersteller
GeneSiC Semiconductor
Herst.-Teilenr.
MURH7060R
LCSC-Nr.
C17476804
Verp.
-
Kundennummer
Hauptmerkm.
110ns 600V 1.7V@70A 70A Single Diodes RoHS
DatenblattGeneSiC Semiconductor MURH7060R
Nicht vorrätig
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Minimum: 1Vielfaches: 1Verkaufseinheit: Piece
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Stk.E-Preis(Nur als Referenz)Gesamtbetrag
1+$ 109.223$ 109.22
216+$ 43.5817$ 9413.65
504+$ 42.1246$ 21230.80
1,008+$ 41.4051$ 41736.34
Standardgehäuse36/Full Bag
Besserer Preis bei größerer Menge?
$

Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes
HerstellerGeneSiC Semiconductor
Verp.-
Reverse Recovery Time (trr)110ns
Diode Configuration-
Operating Junction Temperature Range-55℃~+150℃
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)600V
Pd - Power Dissipation-
Voltage - Forward(Vf@If)1.7V@70A
Reverse Leakage Current (Ir)25uA@600V
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current-
Current - Rectified70A
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Beschreibung

KI-Übersetzung

Silicon ultra-fast recovery diode, repetitive peak reverse voltage VRRM 400V - 600V, average forward current IF(AV) 70A.

Merkmale

KI-Übersetzung
  • High surge capability
  • VRRM range from 400V to 600V
  • Insensitive to electrostatic discharge
  • D-67 package