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EDA 모델EasyEDA
NTE Electronics NTE5887
| 제조업체 | |
| 제조사 품번 | NTE5887 |
| LCSC 번호 | C17412823 |
| 포장 | DO-4 |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | 800V 1 Independent 1.26V@38A 12A DO-4 Single Diodes RoHS |
| 데이터시트 | NTE Electronics NTE5887 |
| 대체 부품 | 5 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| 제조업체 | NTE Electronics | |
| 포장 | DO-4 | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+175℃ | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.26V@38A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 12mA | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 280A | |
| Current - Rectified | 12A |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| 제조업체 | NTE Electronics | |
| 포장 | DO-4 | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+175℃ |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.26V@38A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 12mA | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 280A | |
| Current - Rectified | 12A |
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개요
AI 번역
NTE5810, NTE5811, and NTE5870 through NTE5891 are low-power general-purpose rectifier diodes in a DO4 package, suitable for battery chargers, converters, power supplies, and machine tool controls.
주요 특징
AI 번역
- High surge current capability
- High voltage available
- Designed for a wide range of applications
- Available in anode-to-case or cathode-to-case configurations
응용 분야
AI 번역
Battery chargers, converters, power supplies, machine tool control
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| 수량 | 단가(참고용) | 총액 |
|---|---|---|
| 1+ | $ 28.0957 | $ 28.10 |
| 200+ | $ 11.2117 | $ 2242.34 |
| 500+ | $ 10.836 | $ 5418.00 |
| 1,000+ | $ 10.6512 | $ 10651.20 |
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제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| 제조업체 | NTE Electronics | |
| 포장 | DO-4 | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+175℃ | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.26V@38A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 12mA | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 280A | |
| Current - Rectified | 12A |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| 제조업체 | NTE Electronics | |
| 포장 | DO-4 | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+175℃ |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.26V@38A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 12mA | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 280A | |
| Current - Rectified | 12A |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
개요
AI 번역
NTE5810, NTE5811, and NTE5870 through NTE5891 are low-power general-purpose rectifier diodes in a DO4 package, suitable for battery chargers, converters, power supplies, and machine tool controls.
주요 특징
AI 번역
- High surge current capability
- High voltage available
- Designed for a wide range of applications
- Available in anode-to-case or cathode-to-case configurations
응용 분야
AI 번역
Battery chargers, converters, power supplies, machine tool control
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |