MDD(Microdiode Semiconductor) BZT52C3V6S
| Produttore | MDD(Microdiode Semiconductor)Asian Brands |
| Cod. Prod. | BZT52C3V6S |
| Cod. LCSC | C173438 |
| Imballo | SOD-323 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | DIODE ZENER 3.6V 200mW SOD-323 |
| Scheda Tecnica | MDD(Microdiode Semiconductor) BZT52C3V6S |
| Conformità RoHS | 1 documenti disponibili |
| Parti alternative | 3 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Zener/Single Zener Diodes | |
| Produttore | MDD(Microdiode Semiconductor) | |
| Imballo | SOD-323 | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Tolerance | - | |
| Operating Junction Temperature Range | - | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 10uA | |
| Impedance(Zzt) | 130Ω | |
| Zener Voltage(Range) | 3.4V~3.8V | |
| Zener Voltage(Nom) | 3.6V | |
| Impedance(Zzk) | - |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Zener/Single Zener Diodes | |
| Produttore | MDD(Microdiode Semiconductor) | |
| Imballo | SOD-323 | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Tolerance | - | |
| Operating Junction Temperature Range | - |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 10uA | |
| Impedance(Zzt) | 130Ω | |
| Zener Voltage(Range) | 3.4V~3.8V | |
| Zener Voltage(Nom) | 3.6V | |
| Impedance(Zzk) | - |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Planar die construction
- Total power dissipation: 300mW max
- Zener reverse voltage range 2.0V to 75V
- General purpose, medium current
- Small plastic package for surface mount design
- Tolerance approximately ±5%
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Zener/Single Zener Diodes | |
| Produttore | MDD(Microdiode Semiconductor) | |
| Imballo | SOD-323 | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Tolerance | - | |
| Operating Junction Temperature Range | - | |
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 10uA | |
| Impedance(Zzt) | 130Ω | |
| Zener Voltage(Range) | 3.4V~3.8V | |
| Zener Voltage(Nom) | 3.6V | |
| Impedance(Zzk) | - |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Zener/Single Zener Diodes | |
| Produttore | MDD(Microdiode Semiconductor) | |
| Imballo | SOD-323 | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Tolerance | - | |
| Operating Junction Temperature Range | - |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 200mW | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 10uA | |
| Impedance(Zzt) | 130Ω | |
| Zener Voltage(Range) | 3.4V~3.8V | |
| Zener Voltage(Nom) | 3.6V | |
| Impedance(Zzk) | - |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Planar die construction
- Total power dissipation: 300mW max
- Zener reverse voltage range 2.0V to 75V
- General purpose, medium current
- Small plastic package for surface mount design
- Tolerance approximately ±5%
C173438 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |
