LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
Koszyk
GOFORD GT68N12T product image
  • GT68N12T thumbnail 1
  • GT68N12T thumbnail 2
  • GT68N12T thumbnail 3
  • Rozmieszczenie wyprowadzeń
  • Footprint
Zdjęcia poglądowe

GOFORD GT68N12T

Producent
GOFORDAsian Brands
Nr części prod.
GT68N12T
Nr LCSC
C581356
Opak.
TO-220
Numer Klienta
Klucz. cechy
192W 120V 110A 5mΩ@10V 1 N-channel N-Channel TO-220 Single FETs, MOSFETs
Karta KatalogowaGOFORD GT68N12T
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProducentGOFORD
Opak.TO-220
Output Capacitance(Coss)778.8pF
Ciss-Input Capacitance5.823nF
Pd - Power Dissipation192W
Configuration-
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage120V
Current - Continuous Drain(Id)110A
Reverse Transfer Capacitance (Crss)17.5pF
RDS(on)5mΩ@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)68.9nC
Vgs±20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
TypeN-Channel
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >

Opis

Tłumaczenie AI

The GT68N12 employs advanced technology, featuring low on-resistance RDS(ON), low gate charge, fast switching, and excellent avalanche characteristics. The device is specifically designed for enhanced durability, suitable for motor control applications.

Funkcje

Tłumaczenie AI
  • Low on-resistance RDS(ON) and figure of merit FOM
  • Ultra-low switching losses
  • Excellent stability and consistency
  • Fast switching and soft recovery
  • RoHS compliant

Zastosowania

Tłumaczenie AI
  • Consumer electronics power supplies
  • Motor control
  • Synchronous rectification
  • Isolated DC/DC converters
  • Inverters