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EDA 모델EasyEDA
VISHAY SISA72ADN-T1-GE3
| 제조업체 | |
| 제조사 품번 | SISA72ADN-T1-GE3 |
| LCSC 번호 | C5754032 |
| 포장 | PowerPAK1212-8 |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | MOSFET N-CH 40V 92A PowerPAK1212-8 |
| 데이터시트 | VISHAY SISA72ADN-T1-GE3 |
| RoHS 준수 | 2개 문서 이용 가능 |
| 대체 부품 | 5 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VISHAY | |
| 포장 | PowerPAK1212-8 | |
| Output Capacitance(Coss) | 465pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.53nF | |
| Pd - Power Dissipation | 3.7W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 92A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 19pF | |
| RDS(on) | 3.42mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 14.8nC@10V | |
| Vgs | - | |
| Type | N-Channel | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.4V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VISHAY | |
| 포장 | PowerPAK1212-8 | |
| Output Capacitance(Coss) | 465pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.53nF | |
| Pd - Power Dissipation | 3.7W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 92A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 19pF | |
| RDS(on) | 3.42mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 14.8nC@10V | |
| Vgs | - | |
| Type | N-Channel | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.4V |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- TrenchFET Gen IV power MOSFET
- Tuned for the lowest RDS–Qoss FOM RoHS
- 100 % Rg and UIS tested
- Qgd/Qgs ratio <1 optimizes switching characteristics
응용 분야
AI 번역
- Synchronous rectification
- High power density DC/DC
- DC/AC inverters
- Battery and load switch
모든 주문 보장
100% 정품 · 30일 반품 또는 교환
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VISHAY | |
| 포장 | PowerPAK1212-8 | |
| Output Capacitance(Coss) | 465pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.53nF | |
| Pd - Power Dissipation | 3.7W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 92A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 19pF | |
| RDS(on) | 3.42mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 14.8nC@10V | |
| Vgs | - | |
| Type | N-Channel | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.4V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VISHAY | |
| 포장 | PowerPAK1212-8 | |
| Output Capacitance(Coss) | 465pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.53nF | |
| Pd - Power Dissipation | 3.7W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 92A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 19pF | |
| RDS(on) | 3.42mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 14.8nC@10V | |
| Vgs | - | |
| Type | N-Channel | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.4V |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- TrenchFET Gen IV power MOSFET
- Tuned for the lowest RDS–Qoss FOM RoHS
- 100 % Rg and UIS tested
- Qgd/Qgs ratio <1 optimizes switching characteristics
응용 분야
AI 번역
- Synchronous rectification
- High power density DC/DC
- DC/AC inverters
- Battery and load switch
C5754032 EasyEDA 라이브러리
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |