LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
Nexperia MJD44H11A product image
  • MJD44H11A thumbnail 1
  • MJD44H11A thumbnail 2
  • MJD44H11A thumbnail 3
  • Rozmieszczenie wyprowadzeń
  • Footprint
Zdjęcia poglądowe

Nexperia MJD44H11A

Producent
Nr części prod.
MJD44H11A
Nr LCSC
C551529
Opak.
DPAK
Numer Klienta
Klucz. cechy
TRANS NPN 80V 8A DPAK
Karta KatalogowaNexperia MJD44H11A
Części alternatywne5
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
ProducentNexperia
Opak.DPAK
Operating Temperature-55℃~+150℃
Current - Collector Cutoff50uA
Transition frequency(fT)160MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO80V
Emitter-Base Voltage VEBO6V
DC Current Gain60
Current - Collector(Ic)8A
Pd - Power Dissipation20W
Number1 NPN
typeNPN
Vce Saturation(VCE(sat))1V

Opis

Tłumaczenie AI

NPN high power bipolar transistor in a power DPAK, TO-252 (SOT428C) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: MJD45H11A

Funkcje

Tłumaczenie AI
  • High thermal power dissipation capability
  • High energy efficiency due to less heat generation
  • Electrically similar to popular MJD44H series
  • Low collector emitter saturation voltage
  • Fast switching speeds
  • AEC-Q101 qualified

Zastosowania

Tłumaczenie AI
  • Power management
  • Load switch
  • Linear mode voltage regulator
  • Constant current drive backlighting application
  • Motor drive
  • Relay replacement