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Infineon IDP30E65D1
| Produttore | |
| Cod. Prod. | IDP30E65D1 |
| Cod. LCSC | C535929 |
| Imballo | TO-220-2 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 95ns 650V Standalone 1.7V@30A 60A TO-220-2 Single Diodes RoHS |
| Scheda Tecnica | Infineon IDP30E65D1 |
| Conformità RoHS | 1 documenti disponibili |
| Parti alternative | 1 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| Produttore | Infineon | |
| Imballo | TO-220-2 | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 95ns | |
| Operating Junction Temperature Range | -40℃~+175℃ | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Diode Configuration | Standalone | |
| Pd - Power Dissipation | 143W | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.7V@30A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 40uA@650V | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | - | |
| Current - Rectified | 60A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| Produttore | Infineon | |
| Imballo | TO-220-2 | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 95ns | |
| Operating Junction Temperature Range | -40℃~+175℃ | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Diode Configuration | Standalone | |
| Pd - Power Dissipation | 143W | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.7V@30A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 40uA@650V | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | - | |
| Current - Rectified | 60A |
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| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 2.6092 | $ 2.61 |
| 10+ | $ 2.5751 | $ 25.75 |
| 30+ | $ 2.5507 | $ 76.52 |
| 100+ | $ 2.528 | $ 252.80 |
Package Standard500/Full Tube | ||
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Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| Produttore | Infineon | |
| Imballo | TO-220-2 | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 95ns | |
| Operating Junction Temperature Range | -40℃~+175℃ | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V | |
| Diode Configuration | Standalone | |
| Pd - Power Dissipation | 143W | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.7V@30A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 40uA@650V | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | - | |
| Current - Rectified | 60A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| Produttore | Infineon | |
| Imballo | TO-220-2 | |
| Reverse Recovery Time (trr) | 95ns | |
| Operating Junction Temperature Range | -40℃~+175℃ | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Diode Configuration | Standalone | |
| Pd - Power Dissipation | 143W | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.7V@30A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 40uA@650V | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | - | |
| Current - Rectified | 60A |
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C535929 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Tipo alternativo | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDP30E65D2 | Infineon | Simili | TO-220AC | 3 | $ 1.8316 |
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