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실제 제품과 다를 수 있음
EDA 모델EasyEDA
Infineon IPB055N08NF2S
| 제조업체 | |
| 제조사 품번 | IPB055N08NF2S |
| LCSC 번호 | C5359112 |
| 포장 | TO-263-3 |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | MOSFET N-CH 80V 94A TO-263-3 |
| 데이터시트 | Infineon IPB055N08NF2S |
| RoHS 준수 | 1개 문서 이용 가능 |
| 대체 부품 | 5 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | Infineon | |
| 포장 | TO-263-3 | |
| Drain to Source Voltage | 80V | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 420pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 94A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.5nF | |
| Pd - Power Dissipation | 107W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 20pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 36nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Type | N-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | Infineon | |
| 포장 | TO-263-3 | |
| Drain to Source Voltage | 80V | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 420pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 94A |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Ciss-Input Capacitance | 2.5nF | |
| Pd - Power Dissipation | 107W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 20pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 36nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Type | N-Channel |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- Optimized for a wide range of applications
- N-channel, normal level
- 100% avalanche tested
- Lead-free lead plating; RoHS compliant
- Halogen-free per IEC61249-2-21
모든 주문 보장
100% 정품 · 30일 반품 또는 교환
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | Infineon | |
| 포장 | TO-263-3 | |
| Drain to Source Voltage | 80V | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 420pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 94A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.5nF | |
| Pd - Power Dissipation | 107W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 20pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 36nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Type | N-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | Infineon | |
| 포장 | TO-263-3 | |
| Drain to Source Voltage | 80V | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 420pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 94A |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Ciss-Input Capacitance | 2.5nF | |
| Pd - Power Dissipation | 107W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 20pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 36nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Type | N-Channel |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- Optimized for a wide range of applications
- N-channel, normal level
- 100% avalanche tested
- Lead-free lead plating; RoHS compliant
- Halogen-free per IEC61249-2-21
C5359112 EasyEDA 라이브러리
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |