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EDA 모델EasyEDA
VBsemi Elec RSD046P05-VB
| 제조업체 | VBsemi ElecAsian Brands |
| 제조사 품번 | RSD046P05-VB |
| LCSC 번호 | C53063670 |
| 포장 | TO-252 |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | 34W 60V 30A 61mΩ@10V 1 P-Channel P-Channel TO-252 Single FETs, MOSFETs |
| 데이터시트 | VBsemi Elec RSD046P05-VB |
| 대체 부품 | 5 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VBsemi Elec | |
| 포장 | TO-252 | |
| Output Capacitance(Coss) | 120pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 1nF | |
| Pd - Power Dissipation | 34W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Configuration | - | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 100pF | |
| RDS(on) | 61mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 10nC | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Type | P-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VBsemi Elec | |
| 포장 | TO-252 | |
| Output Capacitance(Coss) | 120pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 1nF | |
| Pd - Power Dissipation | 34W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Configuration | - |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 100pF | |
| RDS(on) | 61mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 10nC | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Type | P-Channel |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- Trench power MOSFET
- 100% unclamped inductive switching (UIS) tested
응용 분야
AI 번역
- Load switch
모든 주문 보장
100% 정품 · 30일 반품 또는 교환
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VBsemi Elec | |
| 포장 | TO-252 | |
| Output Capacitance(Coss) | 120pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 1nF | |
| Pd - Power Dissipation | 34W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Configuration | - | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 100pF | |
| RDS(on) | 61mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 10nC | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Type | P-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VBsemi Elec | |
| 포장 | TO-252 | |
| Output Capacitance(Coss) | 120pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 1nF | |
| Pd - Power Dissipation | 34W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Configuration | - |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 100pF | |
| RDS(on) | 61mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 10nC | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Type | P-Channel |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- Trench power MOSFET
- 100% unclamped inductive switching (UIS) tested
응용 분야
AI 번역
- Load switch
C53063670 EasyEDA 라이브러리
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |