LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
Koszyk
HUAYI HYG038N03LR1C2 product image
  • HYG038N03LR1C2 thumbnail 1
  • HYG038N03LR1C2 thumbnail 2
  • HYG038N03LR1C2 thumbnail 3
  • Rozmieszczenie wyprowadzeń
  • Footprint
Zdjęcia poglądowe

HUAYI HYG038N03LR1C2

Producent
HUAYIAsian Brands
Nr części prod.
HYG038N03LR1C2
Nr LCSC
C5205138
Opak.
PDFN-8(5x6)
Numer Klienta
Klucz. cechy
MOSFET N-CH 30V 84A PDFN-8(5x6)
Karta KatalogowaHUAYI HYG038N03LR1C2
Zgodność z RoHS1 dokumentów dostępnych
Części alternatywne5
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProducentHUAYI
Opak.PDFN-8(5x6)
Output Capacitance(Coss)215pF
Ciss-Input Capacitance1.486nF
Pd - Power Dissipation53W
Configuration-
Drain to Source Voltage30V
Operating Temperature-55℃~+175℃
Current - Continuous Drain(Id)84A
Reverse Transfer Capacitance (Crss)176pF
RDS(on)3.3mΩ@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)35.5nC@10V
Vgs±20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.7V
TypeN-Channel
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >

Opis

Tłumaczenie AI

The CMF16N65 utilizes advanced planar stripe DMOS technology to deliver excellent RDS(ON) and superior switching performance, while withstanding high-energy pulses in avalanche and commutation modes. These devices are ideally suited for high-efficiency switch-mode power supplies and active power factor correction based on half-bridge topologies.

Funkcje

Tłumaczenie AI
  • 30V/84A
  • R₀₈(ₒₙ) = 3.3 mΩ (typ.) @ V₍GS₎ = 10V
  • Rₒₛ(ₒₙ) = 5.1 mΩ (typ.) @ V₍GS₎ = 4.5V
  • 100% Avalanche Tested
  • Reliable and Rugged
  • Halogen-Free Devices Available

Zastosowania

Tłumaczenie AI
  • Load Switch
  • Lithium battery protect board