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EDA 모델EasyEDA
HT(Shenzhen Jinyu Semicon) SS210 SMB
| 제조업체 | HT(Shenzhen Jinyu Semicon)Asian Brands |
| 제조사 품번 | SS210 SMB |
| LCSC 번호 | C49420329 |
| 포장 | SMB |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | DIODE SCHOTTKY 100V SMB |
| 데이터시트 | HT(Shenzhen Jinyu Semicon) SS210 SMB |
| 대체 부품 | 1 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| 제조업체 | HT(Shenzhen Jinyu Semicon) | |
| 포장 | SMB | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 850mV@2A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 500uA@100V | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 50A | |
| Current - Rectified | 2A |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| 제조업체 | HT(Shenzhen Jinyu Semicon) | |
| 포장 | SMB | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 850mV@2A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 500uA@100V | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 50A | |
| Current - Rectified | 2A |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- Metal-silicon junction, majority carrier conduction
- Surface mount application
- Low power consumption, high efficiency
- High forward surge current capability
- Suitable for low-voltage high-frequency inverters, freewheeling, and polarity protection applications
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제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| 제조업체 | HT(Shenzhen Jinyu Semicon) | |
| 포장 | SMB | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 850mV@2A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 500uA@100V | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 50A | |
| Current - Rectified | 2A |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| 제조업체 | HT(Shenzhen Jinyu Semicon) | |
| 포장 | SMB | |
| Diode Configuration | 1 Independent | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 850mV@2A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 500uA@100V | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 50A | |
| Current - Rectified | 2A |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- Metal-silicon junction, majority carrier conduction
- Surface mount application
- Low power consumption, high efficiency
- High forward surge current capability
- Suitable for low-voltage high-frequency inverters, freewheeling, and polarity protection applications
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |