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Sichainsemi SG2M023120J1J

Produttore
SichainsemiAsian Brands
Cod. Prod.
SG2M023120J1J
Cod. LCSC
C42456090
Imballo
TO-263-7L
Numero Cliente
Attr. chiave
1.2kV 107A 484W 38mΩ@15V 1 N-channel N-Channel TO-263-7L Single FETs, MOSFETs
Scheda TecnicaSichainsemi SG2M023120J1J
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Disponibile: 210
210 Pronta consegna
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
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QtàPr. unit.Importo totale
1+$ 5.6603$ 5.66
10+$ 4.8629$ 48.63
50+$ 4.378$ 218.90
100+$ 3.9703$ 397.03
Package Standard50/Full Tube
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$

Specifiche del Prodotto

Tutto
TipoDescrizione
CategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProduttoreSichainsemi
ImballoTO-263-7L
Operating Temperature-55℃~+175℃
Drain to Source Voltage1.2kV
Output Capacitance(Coss)147pF
Current - Continuous Drain(Id)107A
Ciss-Input Capacitance2.87nF
Pd - Power Dissipation484W
Reverse Transfer Capacitance (Crss)7.4pF
RDS(on)38mΩ@15V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)95nC
TypeN-Channel
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.8V
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >

Caratteristiche

Traduzione AI
  • High-speed switching
  • Extremely low switching losses
  • Fully controllable dv/dt
  • High blocking voltage with low on-resistance
  • Fast intrinsic diode with low reverse recovery charge
  • Temperature-independent turn-off switching losses

Applicazioni

Traduzione AI
  • On-board charger/PFC
  • EV battery charger
  • Boost converter/DC-DC converter
  • Switch-mode power supply