LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
ST STGB10H60DF product image
  • STGB10H60DF thumbnail 1
  • STGB10H60DF thumbnail 2
  • STGB10H60DF thumbnail 3
  • Rozmieszczenie wyprowadzeń
  • Footprint
Zdjęcia poglądowe

ST STGB10H60DF

Producent
ST
Nr części prod.
STGB10H60DF
Nr LCSC
C2971195
Opak.
D2PAK
Numer Klienta
Klucz. cechy
IGBT 600V 20A D2PAK
Karta KatalogowaST STGB10H60DF
Zgodność z RoHS3 dokumentów dostępnych
Części alternatywne5
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/IGBTs/Single IGBTs
ProducentST
Opak.D2PAK
Td(off)103ns
Pd - Power Dissipation115W
Td(on)19.5ns
Current - Collector(Ic)20A
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces)600V
Reverse Transfer Capacitance (Cres)30pF
IGBT TypeFS (Field Stop)
Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic)5V@250uA
Operating Temperature-55℃~+175℃
Vce Saturation(VCE(sat))1.95V@10A,15V
Collector Cut-Off Current (Ices)-
Reverse Recovery Time(trr)107ns
Switching Energy(Eoff)140uJ
Turn-On Energy (Eon)83uJ
Input Capacitance(Cies)1.3nF@25V
Output Capacitance(Coes)60pF
Gate Charge(Qg)57nC@15V
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >

Opis

Tłumaczenie AI

These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop structure. These devices are part of the H series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Funkcje

Tłumaczenie AI
  • High speed switching
  • Tight parameters distribution
  • Safe paralleling
  • Low thermal resistance
  • Short-circuit rated
  • Ultrafast soft recovery antiparallel diode

Zastosowania

Tłumaczenie AI
  • Motor control
  • UPS
  • PFC