LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
83% OFF
onsemi FFSM0865B product image
  • FFSM0865B thumbnail 1
  • FFSM0865B thumbnail 2
  • FFSM0865B thumbnail 3
  • Rozmieszczenie wyprowadzeń
  • Footprint
Zdjęcia poglądowe

onsemi FFSM0865B

Producent
Nr części prod.
FFSM0865B
Nr LCSC
C2902249
Opak.
PQFN-4(8x8)
Numer Klienta
Klucz. cechy
DIODE SIC 650V 11.6A PQFN-4(8x8)
Karta Katalogowaonsemi FFSM0865B
Zgodność z RoHS4 dokumentów dostępnych
Części alternatywne4
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes
Producentonsemi
Opak.PQFN-4(8x8)
Operating Junction Temperature Range-55℃~+175℃
Diode ConfigurationStandalone
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650V
Voltage - Forward(Vf@If)1.39V@8A
Reverse Leakage Current (Ir)500nA@650V
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current42A
Current - Rectified11.6A

Opis

Tłumaczenie AI

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. No reverse recovery current, temperature independent switching characteristics, and excellent thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of power semiconductor. System benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost.

Funkcje

Tłumaczenie AI
  • Max Junction Temperature 175°C
  • Avalanche Rated 33 mJ
  • High Surge Current Capacity
  • Positive Temperature Coefficient
  • Ease of Paralleling
  • No Reverse Recovery / No Forward Recovery
  • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

Zastosowania

Tłumaczenie AI
  • General Purpose
  • SMPS, Solar Inverter, UPS
  • Power Switching Circuits