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실제 제품과 다를 수 있음
EDA 모델EasyEDA
R+O SS210B
| 제조업체 | R+OAsian Brands |
| 제조사 품번 | SS210B |
| LCSC 번호 | C18199186 |
| 포장 | SMB |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | DIODE SCHOTTKY 100V SMB |
| 데이터시트 | R+O SS210B |
| RoHS 준수 | 1개 문서 이용 가능 |
| 대체 부품 | 5 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| 제조업체 | R+O | |
| 포장 | SMB | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Diode Configuration | Standalone | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 850mV@2A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 20uA@100V | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 50A | |
| Current - Rectified | 2A |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| 제조업체 | R+O | |
| 포장 | SMB | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Diode Configuration | Standalone | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 850mV@2A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 20uA@100V | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 50A | |
| Current - Rectified | 2A |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- Reverse voltage 20–200 V, forward current 2 A
- Surface mount applications
- High forward surge current capability
- Low power dissipation, high efficiency
- Built-in stress relief structure, suitable for automated placement
- MSL Level 1 compliant (per J-STD-020), peak reflow temperature up to 260°C
응용 분야
AI 번역
- Low-voltage high-frequency inverters
- Freewheeling applications
- DC/DC converters
- Polarity protection applications
모든 주문 보장
100% 정품 · 30일 반품 또는 교환
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| 제조업체 | R+O | |
| 포장 | SMB | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Diode Configuration | Standalone | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 850mV@2A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 20uA@100V | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 50A | |
| Current - Rectified | 2A |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| 제조업체 | R+O | |
| 포장 | SMB | |
| Operating Junction Temperature Range | -55℃~+150℃ | |
| Diode Configuration | Standalone | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 850mV@2A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 20uA@100V | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 50A | |
| Current - Rectified | 2A |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- Reverse voltage 20–200 V, forward current 2 A
- Surface mount applications
- High forward surge current capability
- Low power dissipation, high efficiency
- Built-in stress relief structure, suitable for automated placement
- MSL Level 1 compliant (per J-STD-020), peak reflow temperature up to 260°C
응용 분야
AI 번역
- Low-voltage high-frequency inverters
- Freewheeling applications
- DC/DC converters
- Polarity protection applications
C18199186 EasyEDA 라이브러리
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |