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EDA 모델EasyEDA
onsemi FDMS3664S
| 제조업체 | |
| 제조사 품번 | FDMS3664S |
| LCSC 번호 | C891056 |
| 포장 | Power-56-8 |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | 30V 8mΩ@10V 2.2W 2 N-Channel Power-56-8 FET, MOSFET Arrays RoHS |
| 데이터시트 | onsemi FDMS3664S |
| RoHS 준수 | 4개 문서 이용 가능 |
| 대체 부품 | 5 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| 제조업체 | onsemi | |
| 포장 | Power-56-8 | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 46pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.765nF | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 466pF | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 13A;25A | |
| RDS(on) | 8mΩ@10V | |
| Pd - Power Dissipation | 2.2W | |
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 21nC | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.7V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| 제조업체 | onsemi | |
| 포장 | Power-56-8 | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 46pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.765nF | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 466pF | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 13A;25A |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| RDS(on) | 8mΩ@10V | |
| Pd - Power Dissipation | 2.2W | |
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 21nC | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.7V |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
개요
AI 번역
This device integrates two dedicated N-channel MOSFETs in a dual PQFN package. The switch node is internally connected to simplify layout and routing for synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous SyncFET™ (Q2) are designed for optimum power efficiency.
주요 특징
AI 번역
- Q1: N-channel
- Max rDS(on) = 8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 13 A
- Max rDS(on) = 11 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 11 A
- Q2: N-channel
- Max rDS(on) = 2.6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 25 A
- Max rDS(on) = 3.2 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 22 A
- Low-inductance package for reduced rise/fall times and switching losses
- Integrated MOSFETs for optimized layout, reduced circuit inductance, and minimized switching node ringing
- RoHS compliant
응용 분야
AI 번역
- Computing
- Communications
- General Point-of-Load
- Notebook VCORE
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재고 있음: 100
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최소값: 1배수: 1판매 단위: Piece
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| 수량 | 단가 | 총액 |
|---|---|---|
| 1+ | $ 1.5691 | $ 1.57 |
| 10+ | $ 1.5345 | $ 15.35 |
| 30+ | $ 1.5099 | $ 45.30 |
| 100+ | $ 1.4868 | $ 148.68 |
표준 패키지3000/Full Reel | ||
수량이 많을수록 더 좋은 가격?
$
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| 제조업체 | onsemi | |
| 포장 | Power-56-8 | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 46pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.765nF | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 466pF | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 13A;25A | |
| RDS(on) | 8mΩ@10V | |
| Pd - Power Dissipation | 2.2W | |
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 21nC | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.7V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays | |
| 제조업체 | onsemi | |
| 포장 | Power-56-8 | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 46pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.765nF | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 466pF | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 13A;25A |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| RDS(on) | 8mΩ@10V | |
| Pd - Power Dissipation | 2.2W | |
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 21nC | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.7V |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
개요
AI 번역
This device integrates two dedicated N-channel MOSFETs in a dual PQFN package. The switch node is internally connected to simplify layout and routing for synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous SyncFET™ (Q2) are designed for optimum power efficiency.
주요 특징
AI 번역
- Q1: N-channel
- Max rDS(on) = 8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 13 A
- Max rDS(on) = 11 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 11 A
- Q2: N-channel
- Max rDS(on) = 2.6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 25 A
- Max rDS(on) = 3.2 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 22 A
- Low-inductance package for reduced rise/fall times and switching losses
- Integrated MOSFETs for optimized layout, reduced circuit inductance, and minimized switching node ringing
- RoHS compliant
응용 분야
AI 번역
- Computing
- Communications
- General Point-of-Load
- Notebook VCORE
C891056 EasyEDA 라이브러리
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
대체 부품
| MPN | 제조사 | 대체 유형 | 포장 | 재고 현황 | 단가 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS8090 | onsemi | 유사 제품 | Power-56 | 5 | $ 8.2879 | ||
| HP8K22TB | ROHM | 유사 제품 | HSOP-8 | 2 | $ 1.5574 | ||
| NTMFD5C680NLT1G | onsemi | 유사 제품 | DFN-8(5x6) | 15 | $ 3.4248 | ||
| NTMFD5C674NLT1G | onsemi | 유사 제품 | DFN-8(5x6) | 12 | $ 1.3291 | ||
| AOE6936 | AOS | 유사 제품 | DFN-8(5x6) | 66 | $ 1.1062 |