5% OFF
- Rozmieszczenie wyprowadzeń
- Footprint
Zdjęcia poglądowe
Modele EDAEasyEDA
VBsemi Elec IRLR7821TRPBF-VB
| Producent | VBsemi ElecAsian Brands |
| Nr części prod. | IRLR7821TRPBF-VB |
| Nr LCSC | C7429061 |
| Opak. | TO-252 |
| Numer Klienta | |
| Klucz. cechy | MOSFET N-CH 30V 80A TO-252 |
| Karta Katalogowa | VBsemi Elec IRLR7821TRPBF-VB |
| Części alternatywne | 5 |
Specyfikacje Produktu
Wszystko
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Producent | VBsemi Elec | |
| Opak. | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 525pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.201nF | |
| Pd - Power Dissipation | 205W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 270pF | |
| RDS(on) | 5mΩ@10V;6mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 61nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Type | N-Channel |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Producent | VBsemi Elec | |
| Opak. | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 525pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.201nF |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 205W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 270pF | |
| RDS(on) | 5mΩ@10V;6mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 61nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Type | N-Channel |
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >
Funkcje
Tłumaczenie AI
- Trench power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
- Compliant with EU RoHS Directive 2011/65/EU
Zastosowania
Tłumaczenie AI
- OR-ing diode function
- Servers
- DC-DC converters
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni
Na stanie: 60
60 W magazynie, wysyłka natychmiastowa
Minimum: 1Wielokrotność: 1Jednostka sprzedaży: Piece
Dodaj do Listy BOM
| Szt. | Cena jedn. | Suma całkowita |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.3975$ 0.3777 | $ 0.38 |
| 10+ | $ 0.3121$ 0.2965 | $ 2.97 |
| 30+ | $ 0.276$ 0.2622 | $ 7.87 |
| 100+ | $ 0.23$ 0.2185 | $ 21.85 |
| 500+ | $ 0.2103$ 0.1998 | $ 99.90 |
| 1,000+ | $ 0.1971$ 0.1873 | $ 187.30 |
Standardowa Obudowa2500/Full Reel | ||
Lepsza cena za większą ilość?
$
Specyfikacje Produktu
Wszystko
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Producent | VBsemi Elec | |
| Opak. | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 525pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.201nF | |
| Pd - Power Dissipation | 205W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 270pF | |
| RDS(on) | 5mΩ@10V;6mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 61nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Type | N-Channel |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Producent | VBsemi Elec | |
| Opak. | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 525pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.201nF |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 205W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 270pF | |
| RDS(on) | 5mΩ@10V;6mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 61nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Type | N-Channel |
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >
Funkcje
Tłumaczenie AI
- Trench power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
- Compliant with EU RoHS Directive 2011/65/EU
Zastosowania
Tłumaczenie AI
- OR-ing diode function
- Servers
- DC-DC converters
C7429061 Biblioteka EasyEDA
Zgodność & Kody Eksportowe
| Typ | Szczegóły |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Typ | Szczegóły |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Typ | Szczegóły |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Części alternatywne
| MPN | Producent | Typ alternatywny | Opakowanie | Dostępność | Cena jednostkowa | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTD4969NT4G-VB | VBsemi Elec | Podobne | TO-252 | 90 | $0.4221 $0.4443 | ||
| IRFR3707TRPBF-VB | VBsemi Elec | Podobne | TO-252 | 48 | $0.3441 $0.4048 | ||
| A09N03N-VB | VBsemi Elec | Podobne | TO-252 | 37 | $0.4409 $0.4641 | ||
| 4N03L06-VB | VBsemi Elec | Podobne | TO-252 | 40 | $0.3401 $0.4001 | ||
| AP83T03GH-HF-VB | VBsemi Elec | Podobne | TO-252 | 50 | $0.4143 $0.4361 |