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EDA 모델EasyEDA
VISHAY SISS67DN-T1-GE3
| 제조업체 | |
| 제조사 품번 | SISS67DN-T1-GE3 |
| LCSC 번호 | C6488358 |
| 포장 | - |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | 30V 60A 65.8W 5.5mΩ@10V 1 P-Channel Single FETs, MOSFETs RoHS |
| 데이터시트 | VISHAY SISS67DN-T1-GE3 |
| RoHS 준수 | 1개 문서 이용 가능 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VISHAY | |
| 포장 | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.38nF | |
| Pd - Power Dissipation | 65.8W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 460pF | |
| RDS(on) | 5.5mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 111nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VISHAY | |
| 포장 | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.38nF |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 65.8W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 460pF | |
| RDS(on) | 5.5mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 111nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- TrenchFET 3rd generation P-channel power MOSFET
- 100% gate resistance (Rg) and unclamped inductive switching (UIS) tested
- Ultra-low RDS(on) minimizes conduction loss
- RoHS compliant
- Halogen-free
응용 분야
AI 번역
- Adapter and charger switches
- Load switches
- Battery management
모든 주문 보장
100% 정품 · 30일 반품 또는 교환
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VISHAY | |
| 포장 | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.38nF | |
| Pd - Power Dissipation | 65.8W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 460pF | |
| RDS(on) | 5.5mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 111nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VISHAY | |
| 포장 | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.38nF |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 65.8W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 460pF | |
| RDS(on) | 5.5mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 111nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- TrenchFET 3rd generation P-channel power MOSFET
- 100% gate resistance (Rg) and unclamped inductive switching (UIS) tested
- Ultra-low RDS(on) minimizes conduction loss
- RoHS compliant
- Halogen-free
응용 분야
AI 번역
- Adapter and charger switches
- Load switches
- Battery management
C6488358 EasyEDA 라이브러리
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |