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EDA 모델EasyEDA
HXY MOSFET AONR21321-HXY
| 제조업체 | HXY MOSFETAsian Brands |
| 제조사 품번 | AONR21321-HXY |
| LCSC 번호 | C5148677 |
| 포장 | DFN5x6-8L |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | MOSFET P-CH 30V 50A DFN5x6-8L |
| 데이터시트 | HXY MOSFET AONR21321-HXY |
| 대체 부품 | 5 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | HXY MOSFET | |
| 포장 | DFN5x6-8L | |
| Configuration | Standalone | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 215pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.75nF | |
| Pd - Power Dissipation | 3W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 180pF | |
| RDS(on) | 9mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 24nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Type | P-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | HXY MOSFET | |
| 포장 | DFN5x6-8L | |
| Configuration | Standalone | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 215pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Ciss-Input Capacitance | 1.75nF | |
| Pd - Power Dissipation | 3W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 180pF | |
| RDS(on) | 9mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 24nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Type | P-Channel |
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제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | HXY MOSFET | |
| 포장 | DFN5x6-8L | |
| Configuration | Standalone | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 215pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.75nF | |
| Pd - Power Dissipation | 3W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 180pF | |
| RDS(on) | 9mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 24nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Type | P-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | HXY MOSFET | |
| 포장 | DFN5x6-8L | |
| Configuration | Standalone | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Output Capacitance(Coss) | 215pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Ciss-Input Capacitance | 1.75nF | |
| Pd - Power Dissipation | 3W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 180pF | |
| RDS(on) | 9mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 24nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Type | P-Channel |
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C5148677 EasyEDA 라이브러리
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |