LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
VISHAY IRFD420PBF product image
  • IRFD420PBF thumbnail 1
  • IRFD420PBF thumbnail 2
  • IRFD420PBF thumbnail 3
  • Rozmieszczenie wyprowadzeń
  • Footprint
Zdjęcia poglądowe

VISHAY IRFD420PBF

Producent
Nr części prod.
IRFD420PBF
Nr LCSC
C506431
Opak.
HVMDIP-4
Numer Klienta
Klucz. cechy
MOSFET N-CH 500V 0.37A HVMDIP-4
Karta KatalogowaVISHAY IRFD420PBF
Zgodność z RoHS2 dokumentów dostępnych
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni
Brak w magazynie
Powiadom mnie
Minimum: 1Wielokrotność: 1Jednostka sprzedaży: Piece
Dodaj do Listy BOM
Szt.Cena jedn.(Tylko do wglądu)Suma całkowita
1+$ 1.1698$ 1.17
10+$ 0.9642$ 9.64
30+$ 0.853$ 25.59
100+$ 0.7247$ 72.47
500+$ 0.6691$ 334.55
1,000+$ 0.6428$ 642.80
Standardowa Obudowa100/Full Tube
Lepsza cena za większą ilość?
$

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProducentVISHAY
Opak.HVMDIP-4
Output Capacitance(Coss)82pF
Ciss-Input Capacitance360pF
Pd - Power Dissipation1W
Configuration-
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage500V
Current - Continuous Drain(Id)370mA
Reverse Transfer Capacitance (Crss)37pF
RDS(on)3Ω@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)24nC@10V
Vgs±20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
TypeN-Channel

Opis

Tłumaczenie AI

Third generation Power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinations on standard 0.1 inch pin centers. The dual drain serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to 1 W.

Funkcje

Tłumaczenie AI
  • Dynamic dV/dt Rating
  • Repetitive Avalanche Rated
  • For Automatic Insertion
  • End Stackable
  • Fast Switching
  • Ease of Paralleling
  • Simple Drive Requirements
  • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC