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DIODES DMN1150UFB-7B

Hersteller
DIODES
Herst.-Teilenr.
DMN1150UFB-7B
LCSC-Nr.
C459538
Verp.
DFN-3L(0.6x1)
Kundennummer
Hauptmerkm.
MOSFET N-CH 12V 1.41A DFN-3L(0.6x1)
DatenblattDIODES DMN1150UFB-7B
RoHS-Konformität5 Dokumente verfügbar
Alternativteile5
Garantie auf jede Bestellung
100% Authentisch · 30-Tage-Rückgabe oder -Umtausch

Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
HerstellerDIODES
Verp.DFN-3L(0.6x1)
Output Capacitance(Coss)23pF
Ciss-Input Capacitance106pF
Pd - Power Dissipation500mW
Configuration-
Operating Temperature-55℃~+150℃
Drain to Source Voltage12V
Current - Continuous Drain(Id)1.41A
Reverse Transfer Capacitance (Crss)21pF
RDS(on)185mΩ@2.5V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)1.5nC@4.5V
Vgs±6V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1V
TypeN-Channel
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Beschreibung

KI-Übersetzung

This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate resistance (Rds(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

Merkmale

KI-Übersetzung
  • Low On-Resistance
  • Very Low Gate Threshold Voltage VGS(TH), 1.0V max
  • Low Input Capacitance
  • Fast Switching Speed
  • ESD Protected Gate
  • Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant
  • Halogen and Antimony Free. “Green” Device
  • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Anwendungen

KI-Übersetzung
  • DC-DC Converters
  • Power management functions