실제 제품과 다를 수 있음
EDA 모델EasyEDA
VBsemi Elec P6010DS-VB
| 제조업체 | VBsemi ElecAsian Brands |
| 제조사 품번 | P6010DS-VB |
| LCSC 번호 | C41370070 |
| 포장 | TO-263 |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | 100V 37A 113.6W 50mΩ@4.5V 1 P-Channel P-Channel TO-263 Single FETs, MOSFETs |
| 데이터시트 | VBsemi Elec P6010DS-VB |
| 대체 부품 | 5 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VBsemi Elec | |
| 포장 | TO-263 | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 185pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 37A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.8nF | |
| Pd - Power Dissipation | 113.6W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 135pF | |
| RDS(on) | 50mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 54nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Type | P-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VBsemi Elec | |
| 포장 | TO-263 | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 185pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 37A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.8nF |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 113.6W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 135pF | |
| RDS(on) | 50mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 54nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Type | P-Channel |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- Trench Power MOSFET
- RoHS Compliant
- Halogen-Free
- P-Channel MOSFET
응용 분야
AI 번역
- Power switch — load switch for high-current applications — DC/DC converter
모든 주문 보장
100% 정품 · 30일 반품 또는 교환
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VBsemi Elec | |
| 포장 | TO-263 | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 185pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 37A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.8nF | |
| Pd - Power Dissipation | 113.6W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 135pF | |
| RDS(on) | 50mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 54nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Type | P-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VBsemi Elec | |
| 포장 | TO-263 | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 185pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 37A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.8nF |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 113.6W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 135pF | |
| RDS(on) | 50mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 54nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Type | P-Channel |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- Trench Power MOSFET
- RoHS Compliant
- Halogen-Free
- P-Channel MOSFET
응용 분야
AI 번역
- Power switch — load switch for high-current applications — DC/DC converter
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |