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EDA 모델EasyEDA
RENESAS NP60N06VLK-E1-AY
| 제조업체 | |
| 제조사 품번 | NP60N06VLK-E1-AY |
| LCSC 번호 | C3281270 |
| 포장 | TO-252(MP-3ZP) |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | N-channel, Current: 60A, Voltage: 60V |
| 데이터시트 | RENESAS NP60N06VLK-E1-AY |
| RoHS 준수 | 1개 문서 이용 가능 |
| 대체 부품 | 5 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | RENESAS | |
| 포장 | TO-252(MP-3ZP) | |
| Operating Temperature | - | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 350pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.6nF | |
| Pd - Power Dissipation | 105W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 150pF | |
| RDS(on) | 7.9mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 56nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Type | N-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | RENESAS | |
| 포장 | TO-252(MP-3ZP) | |
| Operating Temperature | - | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 350pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.6nF |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 105W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 150pF | |
| RDS(on) | 7.9mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 56nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Type | N-Channel |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
개요
AI 번역
NP60N06VLK is an N-channel MOSFET designed for high-current switching applications.
주요 특징
AI 번역
- Ultra-low on-resistance
- R DS(on)1 max 7.9 mΩ (VGS = 10 V, ID = 30 A)
- Low input capacitance: Ciss typ 2400 pF (VDS = 25 V)
- Designed for automotive applications, AEC-Q101 compliant
응용 분야
AI 번역
- Automotive
모든 주문 보장
100% 정품 · 30일 반품 또는 교환
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | RENESAS | |
| 포장 | TO-252(MP-3ZP) | |
| Operating Temperature | - | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 350pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.6nF | |
| Pd - Power Dissipation | 105W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 150pF | |
| RDS(on) | 7.9mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 56nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Type | N-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | RENESAS | |
| 포장 | TO-252(MP-3ZP) | |
| Operating Temperature | - | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 350pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.6nF |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 105W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 150pF | |
| RDS(on) | 7.9mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 56nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Type | N-Channel |
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개요
AI 번역
NP60N06VLK is an N-channel MOSFET designed for high-current switching applications.
주요 특징
AI 번역
- Ultra-low on-resistance
- R DS(on)1 max 7.9 mΩ (VGS = 10 V, ID = 30 A)
- Low input capacitance: Ciss typ 2400 pF (VDS = 25 V)
- Designed for automotive applications, AEC-Q101 compliant
응용 분야
AI 번역
- Automotive
C3281270 EasyEDA 라이브러리
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |