실제 제품과 다를 수 있음
EDA 모델EasyEDA
VISHAY SISC06DN-T1-GE3
| 제조업체 | |
| 제조사 품번 | SISC06DN-T1-GE3 |
| LCSC 번호 | C3279447 |
| 포장 | PowerPAK1212-8 |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | N-Channel, Current:40A, Voltage:30V |
| 데이터시트 | VISHAY SISC06DN-T1-GE3 |
| RoHS 준수 | 1개 문서 이용 가능 |
| 대체 부품 | 5 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VISHAY | |
| 포장 | PowerPAK1212-8 | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 27.6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.455nF | |
| Pd - Power Dissipation | 46.3W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 60pF | |
| RDS(on) | 4mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 58nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.1V | |
| Type | N-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VISHAY | |
| 포장 | PowerPAK1212-8 | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 27.6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.455nF |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 46.3W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 60pF | |
| RDS(on) | 4mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 58nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.1V | |
| Type | N-Channel |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- TrenchFET 4th generation power MOSFET
- SkyFET with integrated Schottky diode
- 100% Rg and UIS tested
응용 분야
AI 번역
- Personal Computers and Servers
- Synchronous Buck
- Synchronous Rectification
- DC/DC Conversion
모든 주문 보장
100% 정품 · 30일 반품 또는 교환
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VISHAY | |
| 포장 | PowerPAK1212-8 | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 27.6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.455nF | |
| Pd - Power Dissipation | 46.3W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 60pF | |
| RDS(on) | 4mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 58nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.1V | |
| Type | N-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | VISHAY | |
| 포장 | PowerPAK1212-8 | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 27.6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.455nF |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 46.3W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 60pF | |
| RDS(on) | 4mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 58nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.1V | |
| Type | N-Channel |
도움말 및 피드백유사 제품 보기 (0) >
주요 특징
AI 번역
- TrenchFET 4th generation power MOSFET
- SkyFET with integrated Schottky diode
- 100% Rg and UIS tested
응용 분야
AI 번역
- Personal Computers and Servers
- Synchronous Buck
- Synchronous Rectification
- DC/DC Conversion
C3279447 EasyEDA 라이브러리
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |