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EDA 모델EasyEDA
HXY MOSFET HXY3407AI
| 제조업체 | HXY MOSFETAsian Brands |
| 제조사 품번 | HXY3407AI |
| LCSC 번호 | C3033400 |
| 포장 | SOT-23 |
| 고객 번호 | |
| 주요 제원 | MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT-23 |
| 데이터시트 | HXY MOSFET HXY3407AI |
| 대체 부품 | 5 |
제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | HXY MOSFET | |
| 포장 | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 82pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 463pF | |
| Pd - Power Dissipation | 1.32W | |
| Configuration | Standalone | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.1A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 68pF | |
| RDS(on) | 48mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 5.22nC@4.5V | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Type | P-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | HXY MOSFET | |
| 포장 | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 82pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 463pF | |
| Pd - Power Dissipation | 1.32W | |
| Configuration | Standalone | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.1A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 68pF | |
| RDS(on) | 48mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 5.22nC@4.5V | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Type | P-Channel |
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제품 사양
전체
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | HXY MOSFET | |
| 포장 | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 82pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 463pF | |
| Pd - Power Dissipation | 1.32W | |
| Configuration | Standalone | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.1A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 68pF | |
| RDS(on) | 48mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 5.22nC@4.5V | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Type | P-Channel |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| 카테고리 | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| 제조업체 | HXY MOSFET | |
| 포장 | SOT-23 | |
| Output Capacitance(Coss) | 82pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 463pF | |
| Pd - Power Dissipation | 1.32W | |
| Configuration | Standalone | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V |
| 타입 | 설명 | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.1A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 68pF | |
| RDS(on) | 48mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 5.22nC@4.5V | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Type | P-Channel |
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C3033400 EasyEDA 라이브러리
컴플라이언스 & 수출 코드
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| 타입 | 세부사항 |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |