VBsemi Elec FDD8445-VB
| Produttore | VBsemi ElecAsian Brands |
| Cod. Prod. | FDD8445-VB |
| Cod. LCSC | C7463510 |
| Imballo | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET N-CH 40V 85A TO-252 |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec FDD8445-VB |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VBsemi Elec | |
| Imballo | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Output Capacitance(Coss) | 550pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 85A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.38nF | |
| Pd - Power Dissipation | 3.13W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 250pF | |
| RDS(on) | 5mΩ@10V;6.5mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 80nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VBsemi Elec | |
| Imballo | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Output Capacitance(Coss) | 550pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 85A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.38nF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 3.13W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 250pF | |
| RDS(on) | 5mΩ@10V;6.5mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 80nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Type | N-Channel |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Trench power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
Applicazioni
Traduzione AI
- Synchronous rectification
- Power supply
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VBsemi Elec | |
| Imballo | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Output Capacitance(Coss) | 550pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 85A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.38nF | |
| Pd - Power Dissipation | 3.13W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 250pF | |
| RDS(on) | 5mΩ@10V;6.5mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 80nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VBsemi Elec | |
| Imballo | TO-252 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Output Capacitance(Coss) | 550pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 85A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.38nF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 3.13W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 250pF | |
| RDS(on) | 5mΩ@10V;6.5mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 80nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Type | N-Channel |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Trench power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
Applicazioni
Traduzione AI
- Synchronous rectification
- Power supply
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |



