LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
VISHAY SQJB68EP-T1_GE3 product image
Zdjęcia poglądowe

VISHAY SQJB68EP-T1_GE3

Producent
Nr części prod.
SQJB68EP-T1_GE3
Nr LCSC
C727517
Opak.
PowerPAK-SO-8L
Numer Klienta
Klucz. cechy
100V 11A 76.5mΩ@10V 27W 2 N-Channel PowerPAK-SO-8L FET, MOSFET Arrays RoHS
Karta KatalogowaVISHAY SQJB68EP-T1_GE3
Zgodność z RoHS1 dokumentów dostępnych
Części alternatywne1
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays
ProducentVISHAY
Opak.PowerPAK-SO-8L
Reverse Transfer Capacitance (Crss)20pF
Ciss-Input Capacitance280pF
Operating Temperature-55℃~+175℃
Output Capacitance(Coss)118pF
Drain to Source Voltage100V
Current - Continuous Drain(Id)11A
RDS(on)76.5mΩ@10V
Pd - Power Dissipation27W
TypeN-Channel
Configuration-
Number2 N-Channel
Gate Charge(Qg)8nC@10V
Vgs±20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.5V

Funkcje

Tłumaczenie AI
  • Trench field-effect transistor (TrenchFET) power MOSFET
  • AEC-Q101 qualified
  • 100% gate resistance (Rg) and unclamped inductive switching (UIS) tested
  • RoHS compliant
  • Halogen-free
  • N-channel MOSFET