Taiwan Semiconductor TSM320N03CX RFG
| Produttore | Taiwan SemiconductorAsian Brands |
| Cod. Prod. | TSM320N03CX RFG |
| Cod. LCSC | C5993720 |
| Imballo | SOT-23 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 30V 5.5A 1.8W 32mΩ@4.5V 1 N-channel SOT-23 Single FETs, MOSFETs RoHS |
| Scheda Tecnica | Taiwan Semiconductor TSM320N03CX RFG |
| Conformità RoHS | 2 documenti disponibili |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Taiwan Semiconductor | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 792pF | |
| Pd - Power Dissipation | 1.8W | |
| RDS(on) | 32mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 8.9nC@4.5V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Taiwan Semiconductor | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.5A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Ciss-Input Capacitance | 792pF | |
| Pd - Power Dissipation | 1.8W | |
| RDS(on) | 32mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 8.9nC@4.5V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Low on-resistance R<sub>DS(ON)</sub> to minimize conduction losses
- Low gate charge for fast power switching
- Compliant with EU RoHS Directive 2011/65/EU and WEEE Directive 2002/96/EC
- Halogen-free per IEC 61249-2-21
Applicazioni
Traduzione AI
- Battery power management
- OR-ing FET/load switch
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Taiwan Semiconductor | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 792pF | |
| Pd - Power Dissipation | 1.8W | |
| RDS(on) | 32mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 8.9nC@4.5V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Taiwan Semiconductor | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.5A |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Ciss-Input Capacitance | 792pF | |
| Pd - Power Dissipation | 1.8W | |
| RDS(on) | 32mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 8.9nC@4.5V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Low on-resistance R<sub>DS(ON)</sub> to minimize conduction losses
- Low gate charge for fast power switching
- Compliant with EU RoHS Directive 2011/65/EU and WEEE Directive 2002/96/EC
- Halogen-free per IEC 61249-2-21
Applicazioni
Traduzione AI
- Battery power management
- OR-ing FET/load switch
C5993720 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
