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VISHAY SQJ403BEEP-T1_BE3
| Produttore | |
| Cod. Prod. | SQJ403BEEP-T1_BE3 |
| Cod. LCSC | C5924514 |
| Imballo | PowerPAKSO-8 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 30V 30A 68W 7mΩ@10V 1 P-Channel P-Channel PowerPAKSO-8 Single FETs, MOSFETs RoHS |
| Scheda Tecnica | VISHAY SQJ403BEEP-T1_BE3 |
| Conformità RoHS | 1 documenti disponibili |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | PowerPAKSO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Output Capacitance(Coss) | 712pF | |
| Pd - Power Dissipation | 68W | |
| RDS(on) | 7mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 75nC | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | PowerPAKSO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Output Capacitance(Coss) | 712pF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 68W | |
| RDS(on) | 7mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 75nC | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Type | P-Channel |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- TrenchFET Power MOSFET
- ESD Protection: 3000 V
- AEC-Q101 Qualified
- 100% Tested for Rg and UIS
- RoHS Compliant
- Halogen-Free
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | PowerPAKSO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Output Capacitance(Coss) | 712pF | |
| Pd - Power Dissipation | 68W | |
| RDS(on) | 7mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 75nC | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | PowerPAKSO-8 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Output Capacitance(Coss) | 712pF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 68W | |
| RDS(on) | 7mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 75nC | |
| Vgs | ±20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Type | P-Channel |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- TrenchFET Power MOSFET
- ESD Protection: 3000 V
- AEC-Q101 Qualified
- 100% Tested for Rg and UIS
- RoHS Compliant
- Halogen-Free
C5924514 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |