15% OFF
- Rozmieszczenie wyprowadzeń
- Footprint
Zdjęcia poglądowe
Modele EDAEasyEDA
MSKSEMI ES1J
| Producent | MSKSEMIAsian Brands |
| Nr części prod. | ES1J |
| Nr LCSC | C5140047 |
| Opak. | SMA |
| Numer Klienta | |
| Klucz. cechy | DIODE STANDARD 600V 1A SMA |
| Karta Katalogowa | MSKSEMI ES1J |
| Części alternatywne | 5 |
Specyfikacje Produktu
Wszystko
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| Producent | MSKSEMI | |
| Opak. | SMA | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+150℃ | |
| Diode Configuration | Standalone | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.25V@1A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@600V | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Current - Rectified | 1A |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| Producent | MSKSEMI | |
| Opak. | SMA | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+150℃ | |
| Diode Configuration | Standalone |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.25V@1A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@600V | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Current - Rectified | 1A |
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni
Na stanie: 1,900
1,900 W magazynie, wysyłka natychmiastowa
Minimum: 50Wielokrotność: 50Jednostka sprzedaży: Piece
Dodaj do Listy BOM
| Szt. | Cena jedn. | Suma całkowita |
|---|---|---|
| 50+ | $ 0.0124$ 0.0106 | $ 0.53 |
| 500+ | $ 0.0097$ 0.0083 | $ 4.15 |
| 2,000+ | $ 0.0083$ 0.0071 | $ 14.20 |
| 4,000+ | $ 0.0074$ 0.0063 | $ 25.20 |
| 24,000+ | $ 0.0066$ 0.0057 | $ 136.80 |
| 50,000+ | $ 0.0062$ 0.0053 | $ 265.00 |
Standardowa Obudowa2000/Full Reel | ||
Lepsza cena za większą ilość?
$
Specyfikacje Produktu
Wszystko
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| Producent | MSKSEMI | |
| Opak. | SMA | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+150℃ | |
| Diode Configuration | Standalone | |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.25V@1A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@600V | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Current - Rectified | 1A |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Kategoria | Discrete Semiconductors/Diodes/Rectifiers/Single Diodes | |
| Producent | MSKSEMI | |
| Opak. | SMA | |
| Operating Junction Temperature Range | -65℃~+150℃ | |
| Diode Configuration | Standalone |
| Typ | Opis | |
|---|---|---|
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V | |
| Voltage - Forward(Vf@If) | 1.25V@1A | |
| Reverse Leakage Current (Ir) | 5uA@600V | |
| Non-Repetitive Peak Forward Surge Current | 30A | |
| Current - Rectified | 1A |
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >
C5140047 Biblioteka EasyEDA
Zgodność & Kody Eksportowe
| Typ | Szczegóły |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |
| Typ | Szczegóły |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541100000 |
| USHTS | 8541100040 |
| TARIC | 8541100000 |
| Typ | Szczegóły |
|---|---|
| CAHTS | 8541100090 |
| BRHTS | 85411011 |
| INHTS | 85411000 |
| MXHTS | 8541.10.01 |