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Modelli EDAEasyEDA
XNRUSEMI XRS130N10LF
| Produttore | XNRUSEMIAsian Brands |
| Cod. Prod. | XRS130N10LF |
| Cod. LCSC | C42457067 |
| Imballo | PDFN-8L(5x6) |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET N-CH 100V 130A PDFN-8L(5x6) |
| Scheda Tecnica | XNRUSEMI XRS130N10LF |
| Conformità RoHS | 2 documenti disponibili |
| Parti alternative | 2 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | XNRUSEMI | |
| Imballo | PDFN-8L(5x6) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 130A | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.475nF | |
| Pd - Power Dissipation | 131.6W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 22pF | |
| RDS(on) | 3.5mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 111.2nC@50V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.8V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | XNRUSEMI | |
| Imballo | PDFN-8L(5x6) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 130A | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.475nF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 131.6W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 22pF | |
| RDS(on) | 3.5mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 111.2nC@50V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.8V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Split-gate trench MOSFET technology
- Superior thermal dissipation package
- High-density cell design for low R<sub>DS(ON)</sub>
Applicazioni
Traduzione AI
- DC-DC converter
- Power management function
- Synchronous rectification applications
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Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | XNRUSEMI | |
| Imballo | PDFN-8L(5x6) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 130A | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.475nF | |
| Pd - Power Dissipation | 131.6W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 22pF | |
| RDS(on) | 3.5mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 111.2nC@50V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.8V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | XNRUSEMI | |
| Imballo | PDFN-8L(5x6) | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 130A | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.475nF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 131.6W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 22pF | |
| RDS(on) | 3.5mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 111.2nC@50V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.8V |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Split-gate trench MOSFET technology
- Superior thermal dissipation package
- High-density cell design for low R<sub>DS(ON)</sub>
Applicazioni
Traduzione AI
- DC-DC converter
- Power management function
- Synchronous rectification applications
C42457067 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | - |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |