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Modelli EDAEasyEDA
VISHAY SI2333CDS-T1-GE3
| Produttore | |
| Cod. Prod. | SI2333CDS-T1-GE3 |
| Cod. LCSC | C3290068 |
| Imballo | SOT-23-3(TO-236-3) |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET P-CH 12V 5.1A SOT-23-3(TO-236-3) |
| Scheda Tecnica | VISHAY SI2333CDS-T1-GE3 |
| Conformità RoHS | 2 documenti disponibili |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | SOT-23-3(TO-236-3) | |
| Drain to Source Voltage | 12V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 315pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.225nF | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 260pF | |
| RDS(on) | 59mΩ@1.8V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 15nC@4.5V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | SOT-23-3(TO-236-3) | |
| Drain to Source Voltage | 12V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 315pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.225nF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 260pF | |
| RDS(on) | 59mΩ@1.8V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 15nC@4.5V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Type | P-Channel |
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >
Caratteristiche
Traduzione AI
- TrenchFET power MOSFET
- RoHS COMPLIANT HALOGEN FREE Available
Applicazioni
Traduzione AI
- Load switch
- PA switch
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | SOT-23-3(TO-236-3) | |
| Drain to Source Voltage | 12V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 315pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.225nF | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 260pF | |
| RDS(on) | 59mΩ@1.8V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 15nC@4.5V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | SOT-23-3(TO-236-3) | |
| Drain to Source Voltage | 12V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Output Capacitance(Coss) | 315pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.225nF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 260pF | |
| RDS(on) | 59mΩ@1.8V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 15nC@4.5V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Type | P-Channel |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- TrenchFET power MOSFET
- RoHS COMPLIANT HALOGEN FREE Available
Applicazioni
Traduzione AI
- Load switch
- PA switch
C3290068 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |