15% OFF
- Pinout
- Footprint
Immagini a scopo illustrativo
Modelli EDAEasyEDA
VBsemi Elec FCP850N80Z-VB
| Produttore | VBsemi ElecAsian Brands |
| Cod. Prod. | FCP850N80Z-VB |
| Cod. LCSC | C22357310 |
| Imballo | TO-220AB |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET N-CH 800V 6A TO-220AB |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec FCP850N80Z-VB |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VBsemi Elec | |
| Imballo | TO-220AB | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Output Capacitance(Coss) | 80pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.3nF | |
| Pd - Power Dissipation | 650W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 4pF | |
| RDS(on) | 800mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 9.6nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VBsemi Elec | |
| Imballo | TO-220AB | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Output Capacitance(Coss) | 80pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.3nF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 650W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 4pF | |
| RDS(on) | 800mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 9.6nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Type | N-Channel |
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >
Caratteristiche
Traduzione AI
- Low figure-of-merit (FOM) Rₒₙ×Q₉
- Low input capacitance (Cᵢₛₛ)
- Reduced switching and conduction losses
- Ultra low gate charge (Ω₉)
- Avalanche energy rated (UIS)
Applicazioni
Traduzione AI
- Server and telecom power supplies
- Switch mode power supplies (SMPS)
- Power factor correction power supplies (PFC)
- Lighting - High-intensity discharge (HID) - Fluorescent ballast lighting
- Industrial
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Esaurito
Avvisami
Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
Aggiungi alla Lista BOM
| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 1.6354$ 1.3901 | $ 1.39 |
| 10+ | $ 1.3528$ 1.1499 | $ 11.50 |
| 50+ | $ 1.1972$ 1.0177 | $ 50.89 |
| 100+ | $ 1.0209$ 0.8678 | $ 86.78 |
| 500+ | $ 0.9431$ 0.8017 | $ 400.85 |
| 1,000+ | $ 0.9082$ 0.7720 | $ 772.00 |
Package Standard50/Full Tube | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
$
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VBsemi Elec | |
| Imballo | TO-220AB | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Output Capacitance(Coss) | 80pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.3nF | |
| Pd - Power Dissipation | 650W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 4pF | |
| RDS(on) | 800mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 9.6nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VBsemi Elec | |
| Imballo | TO-220AB | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Output Capacitance(Coss) | 80pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.3nF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 650W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 4pF | |
| RDS(on) | 800mΩ@10V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 9.6nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Type | N-Channel |
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >
Caratteristiche
Traduzione AI
- Low figure-of-merit (FOM) Rₒₙ×Q₉
- Low input capacitance (Cᵢₛₛ)
- Reduced switching and conduction losses
- Ultra low gate charge (Ω₉)
- Avalanche energy rated (UIS)
Applicazioni
Traduzione AI
- Server and telecom power supplies
- Switch mode power supplies (SMPS)
- Power factor correction power supplies (PFC)
- Lighting - High-intensity discharge (HID) - Fluorescent ballast lighting
- Industrial
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Tipo alternativo | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SiHP6N80E-VB | VBsemi Elec | Simili | TO-220AB | 48 | $1.6798 $1.9762 | ||
| STP80N900K6-VB | VBsemi Elec | Simili | TO-220AB | 5 | $1.3901 $1.6354 | ||
| VBM18R06S | VBsemi Elec | Simili | TO-220AB | 2 | $1.3901 $1.6354 | ||
| TK7E80W-VB | VBsemi Elec | Simili | TO-220AB | 5 | $1.3901 $1.6354 | ||
| FCP400N80Z-VB | VBsemi Elec | Simili | TO-220AB | 5 | $2.2417 $2.6372 |