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Nexperia BUK4D16-20H
| Produttore | |
| Cod. Prod. | BUK4D16-20H |
| Cod. LCSC | C20539944 |
| Imballo | DFN-6(2x2) |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | 19W 20V 26A 16mΩ@4.5V 1 N-channel N-Channel DFN-6(2x2) Single FETs, MOSFETs RoHS |
| Scheda Tecnica | Nexperia BUK4D16-20H |
| Conformità RoHS | 2 documenti disponibili |
| Parti alternative | 4 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | DFN-6(2x2) | |
| Output Capacitance(Coss) | 144pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 931pF | |
| Pd - Power Dissipation | 19W | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 26A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 121pF | |
| RDS(on) | 16mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 15nC@4.5V | |
| Vgs | ±12V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.3V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | DFN-6(2x2) | |
| Output Capacitance(Coss) | 144pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 931pF | |
| Pd - Power Dissipation | 19W | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 20V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 26A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 121pF | |
| RDS(on) | 16mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 15nC@4.5V | |
| Vgs | ±12V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.3V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Extended temperature range Tj = 175 ℃
- Side wettable flanks for optical solder inspection
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM (class H2)
- Trench MOSFET technology
- AEC-Q101 qualified
Applicazioni
Traduzione AI
- DC to DC conversion
- High-speed line driver
- Low-side load switch Switching circuits
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Esaurito
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Minimo: 1Multiplo: 1Unità di vendita: Piece
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| Qtà | Pr. unit.(Solo per riferimento) | Importo totale |
|---|---|---|
| 1+ | $ 0.2089 | $ 0.21 |
| 200+ | $ 0.0834 | $ 16.68 |
| 500+ | $ 0.0806 | $ 40.30 |
| 1,000+ | $ 0.0792 | $ 79.20 |
Package Standard3000/Full Reel | ||
Prezzo migliore per quantità maggiore?
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Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | DFN-6(2x2) | |
| Output Capacitance(Coss) | 144pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 931pF | |
| Pd - Power Dissipation | 19W | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 26A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 121pF | |
| RDS(on) | 16mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 15nC@4.5V | |
| Vgs | ±12V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.3V | |
| Type | N-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | Nexperia | |
| Imballo | DFN-6(2x2) | |
| Output Capacitance(Coss) | 144pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 931pF | |
| Pd - Power Dissipation | 19W | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Configuration | - | |
| Drain to Source Voltage | 20V |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 26A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 121pF | |
| RDS(on) | 16mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-channel | |
| Gate Charge(Qg) | 15nC@4.5V | |
| Vgs | ±12V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.3V | |
| Type | N-Channel |
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Descrizione
Traduzione AI
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Caratteristiche
Traduzione AI
- Extended temperature range Tj = 175 ℃
- Side wettable flanks for optical solder inspection
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM (class H2)
- Trench MOSFET technology
- AEC-Q101 qualified
Applicazioni
Traduzione AI
- DC to DC conversion
- High-speed line driver
- Low-side load switch Switching circuits
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Parti alternative
| MPN | Produttore | Tipo alternativo | Imballaggio | Disponibilità | Prezzo unitario | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AON2408 | AOS | Simili | DFN-6(2x2) | 3,490 | $ 0.1787 | ||
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| CSD17318Q2 | TI | Simili | WSON-6(2x2) | 1,050 | $ 0.2092 | ||
| CSD17318Q2T | TI | Simili | WSON-6(2x2) | 0 | $ 1.649 |