LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
UMW FDD8586(UMW) product image
Zdjęcia poglądowe

UMW FDD8586(UMW)

Producent
UMWAsian Brands
Nr części prod.
FDD8586(UMW)
Nr LCSC
C18295983
Opak.
TO-252
Numer Klienta
Klucz. cechy
MOSFET N-CH 20V 35A TO-252
Karta KatalogowaUMW FDD8586(UMW)
Zgodność z RoHS2 dokumentów dostępnych
Części alternatywne5
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProducentUMW
Opak.TO-252
Drain to Source Voltage20V
Operating Temperature-55℃~+175℃
Output Capacitance(Coss)550pF
Current - Continuous Drain(Id)35A
Ciss-Input Capacitance1.865nF
Pd - Power Dissipation77W
Reverse Transfer Capacitance (Crss)335pF
RDS(on)4mΩ@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)34nC@10V
Vgs±20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.6V
TypeN-Channel
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >

Opis

Tłumaczenie AI

This N-channel MOSFET is designed to enhance the overall efficiency of DC/DC converters employing synchronous or conventional switching PWM controllers. It is optimized for low gate charge, low RDS(ON), and fast switching speed.

Funkcje

Tłumaczenie AI
  • VDS(V) = 20 V
  • ID = 35 A
  • RDS(ON) < 5.5 mΩ (VGS = 10 V)
  • RDS(ON) < 8.5 mΩ (VGS = 4.5 V)
  • Low gate resistance
  • Low gate charge: Qg(TOT) = 34 nC (typical), VGS = 10 V

Zastosowania

Tłumaczenie AI
  • Core voltage DC-DC conversion for desktop PCs and servers
  • Voltage regulation modules for intermediate bus architecture