LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
Shanghai Prisemi Elec PNM723T703E0-2 product image
  • PNM723T703E0-2 thumbnail 1
  • PNM723T703E0-2 thumbnail 2
  • PNM723T703E0-2 thumbnail 3
  • Rozmieszczenie wyprowadzeń
  • Footprint
Zdjęcia poglądowe

Shanghai Prisemi Elec PNM723T703E0-2

Producent
Nr części prod.
PNM723T703E0-2
Nr LCSC
C110713
Opak.
SOT-723
Numer Klienta
Klucz. cechy
MOSFET N-CH 40V 0.18A SOT-723
Karta KatalogowaShanghai Prisemi Elec PNM723T703E0-2
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni
Na stanie: 29,640
29,640 W magazynie, wysyłka natychmiastowa
Minimum: 20Wielokrotność: 20Jednostka sprzedaży: Piece
Dodaj do Listy BOM
Szt.Cena jedn.Suma całkowita
20+$ 0.0258$ 0.52
200+$ 0.0202$ 4.04
600+$ 0.0171$ 10.26
2,000+$ 0.0152$ 30.40
10,000+$ 0.0125$ 125.00
20,000+$ 0.0116$ 232.00
Standardowa Obudowa10000/Full Reel
Lepsza cena za większą ilość?
$

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
ProducentShanghai Prisemi Elec
Opak.SOT-723
Output Capacitance(Coss)20pF
Ciss-Input Capacitance40pF
Pd - Power Dissipation150mW
Configuration-
Operating Temperature-
Drain to Source Voltage40V
Current - Continuous Drain(Id)180mA
Reverse Transfer Capacitance (Crss)5pF
RDS(on)7.5Ω@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)-
Vgs±20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.5V
TypeN-Channel

Opis

Tłumaczenie AI

PNM723T703E0-2 is designed for high speed switching applications. The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance.