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onsemi SBC847BPDXV6T1G

Hersteller
onsemi
Herst.-Teilenr.
SBC847BPDXV6T1G
LCSC-Nr.
C895178
Verp.
SOT-563
Kundennummer
Hauptmerkm.
200 357mW 45V NPN+PNP 100mA SOT-563 Bipolar Transistor Arrays RoHS
Datenblattonsemi SBC847BPDXV6T1G
RoHS-Konformität4 Dokumente verfügbar
Garantie auf jede Bestellung
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150+$ 0.1997$ 29.96
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4,000+$ 0.162$ 648.00
Standardgehäuse4000/Full Reel
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Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays
Herstelleronsemi
Verp.SOT-563
Current - Collector Cutoff15nA
DC Current Gain200
Pd - Power Dissipation357mW
Collector - Emitter Voltage VCEO45V
Transition frequency(fT)100MHz
typeNPN+PNP
Vce Saturation(VCE(sat))600mV
Current - Collector(Ic)100mA
Operating Temperature-55℃~+150℃
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