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onsemi FDMC510P
| Fabricante | |
| Cód. da peça | FDMC510P |
| Nº LCSC | C890933 |
| Emb. | WDFN-8(3.3x3.3) |
| Número do Cliente | |
| Atrib. princ. | MOSFET P-CH 20V 18A WDFN-8(3.3x3.3) |
| Folha de Dados | onsemi FDMC510P |
| Conformidade RoHS | 4 documentos disponíveis |
| Peças alternativas | 5 |
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | onsemi | |
| Emb. | WDFN-8(3.3x3.3) | |
| Output Capacitance(Coss) | 840pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 7.86nF | |
| Pd - Power Dissipation | 41W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 1.11nF | |
| RDS(on) | 8mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 116nC@4.5V | |
| Vgs | ±8V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | onsemi | |
| Emb. | WDFN-8(3.3x3.3) | |
| Output Capacitance(Coss) | 840pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 7.86nF | |
| Pd - Power Dissipation | 41W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 1.11nF | |
| RDS(on) | 8mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 116nC@4.5V | |
| Vgs | ±8V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Type | P-Channel |
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Descrição
Tradução por IA
This P−Channel MOSFET is produce using onsemi’s advanced POWERTRENCH process that has been optimized for rDS(ON), switching performance and ruggedness.
Recursos
Tradução por IA
- Max rDS(on)=8.0 mΩ at VGS=-4.5 V, ID=-12 A
- Max rDS(on)=9.8 mΩ at VGS=-2.5 V, ID=-10 A
- Max rDS(on)=13 mΩ at VGS=-1.8 V, ID=-9.3 A
- Max rDS(on)=17 mΩ at VGS=-1.5 V, ID=-8.3 A
- High Performance Trench Technology for Extremely Low rDS(on)
- High Power and Current Handling Capability in a Widely Used Surface Mount Package
- 100% UIL Tested
- HBM ESD Capability Level >2 kV Typical
- This Device is Pb−Free, Halide Free and is RoHS Compliant
Aplicações
Tradução por IA
- Battery Management
- Load Switch
Garantia em cada pedido
100% Autêntico · Devolução ou Substituição em 30 Dias
Em estoque: 274
274 Em estoque, envio imediato
Mínimo: 1Múltiplo: 1Unidade de venda: Piece
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| Qtd. | Preço unit. | Valor total |
|---|---|---|
| 1+ | $ 1.7019 | $ 1.70 |
| 10+ | $ 1.476 | $ 14.76 |
| 30+ | $ 1.3523 | $ 40.57 |
| 100+ | $ 1.2121 | $ 121.21 |
| 500+ | $ 1.1132 | $ 556.60 |
| 1,000+ | $ 1.0851 | $ 1085.10 |
Encapsulamento Padrão3000/Full Reel | ||
Melhor preço para maior quantidade?
$
Especificações do Produto
Tudo
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | onsemi | |
| Emb. | WDFN-8(3.3x3.3) | |
| Output Capacitance(Coss) | 840pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 7.86nF | |
| Pd - Power Dissipation | 41W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 1.11nF | |
| RDS(on) | 8mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 116nC@4.5V | |
| Vgs | ±8V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Fabricante | onsemi | |
| Emb. | WDFN-8(3.3x3.3) | |
| Output Capacitance(Coss) | 840pF | |
| Ciss-Input Capacitance | 7.86nF | |
| Pd - Power Dissipation | 41W | |
| Configuration | - | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ | |
| Drain to Source Voltage | 20V |
| Tipo | Descrição | |
|---|---|---|
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 1.11nF | |
| RDS(on) | 8mΩ@4.5V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 116nC@4.5V | |
| Vgs | ±8V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Type | P-Channel |
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Descrição
Tradução por IA
This P−Channel MOSFET is produce using onsemi’s advanced POWERTRENCH process that has been optimized for rDS(ON), switching performance and ruggedness.
Recursos
Tradução por IA
- Max rDS(on)=8.0 mΩ at VGS=-4.5 V, ID=-12 A
- Max rDS(on)=9.8 mΩ at VGS=-2.5 V, ID=-10 A
- Max rDS(on)=13 mΩ at VGS=-1.8 V, ID=-9.3 A
- Max rDS(on)=17 mΩ at VGS=-1.5 V, ID=-8.3 A
- High Performance Trench Technology for Extremely Low rDS(on)
- High Power and Current Handling Capability in a Widely Used Surface Mount Package
- 100% UIL Tested
- HBM ESD Capability Level >2 kV Typical
- This Device is Pb−Free, Halide Free and is RoHS Compliant
Aplicações
Tradução por IA
- Battery Management
- Load Switch
C890933 Biblioteca EasyEDA
Conformidade & Códigos de Exportação
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| RoHS | ROHS3 Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Detalhes |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
Peças alternativas
| MPN | Fabricante | Tipo alternativo | Embalagem | Disponibilidade | Preço unitário | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMP26M7UFG-7 | DIODES | Similares | PowerDI3333-8 | 679 | $ 0.6962 | ||
| FDMC6686P | onsemi | Similares | PQFN-8(3.3x3.3) | 3 | $ 1.8967 | ||
| XR60P02D | XNRUSEMI | Similares | PDFN3333-8L | 3,855 | $0.0988 $0.104 | ||
| NTTFS015P03P8ZTAG | onsemi | Similares | WDFN-8(3.3x3.3) | 19 | $1.6296 $2.2323 | ||
| SI7655ADN-T1-GE3 | VISHAY | Similares | PowerPAK1212-8S | 1,375 | $ 1.0853 |