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Modelli EDAEasyEDA
VISHAY SQ2309ES-T1_GE3
| Produttore | |
| Cod. Prod. | SQ2309ES-T1_GE3 |
| Cod. LCSC | C85137 |
| Imballo | SOT-23 |
| Numero Cliente | |
| Attr. chiave | MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-23 |
| Scheda Tecnica | VISHAY SQ2309ES-T1_GE3 |
| Conformità RoHS | 2 documenti disponibili |
| Parti alternative | 5 |
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 30pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 265pF | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 21pF | |
| RDS(on) | 336mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 8.5nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 30pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 265pF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 21pF | |
| RDS(on) | 336mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 8.5nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Type | P-Channel |
Aiuto & FeedbackMostra prodotti simili (0) >
Caratteristiche
Traduzione AI
- Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
- TrenchFET Power MOSFET
- AEC-Q101 Qualified
- 100 % Rg and UIS Tested
- Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
Garanzia su ogni ordine
100% Autentico · Reso o Sostituzione entro 30 Giorni
Specifiche del Prodotto
Tutto
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 30pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 265pF | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 21pF | |
| RDS(on) | 336mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 8.5nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Type | P-Channel |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs | |
| Produttore | VISHAY | |
| Imballo | SOT-23 | |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃ | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Output Capacitance(Coss) | 30pF | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 265pF |
| Tipo | Descrizione | |
|---|---|---|
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 21pF | |
| RDS(on) | 336mΩ@10V | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Gate Charge(Qg) | 8.5nC@10V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Type | P-Channel |
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Caratteristiche
Traduzione AI
- Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
- TrenchFET Power MOSFET
- AEC-Q101 Qualified
- 100 % Rg and UIS Tested
- Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
C85137 Libreria EasyEDA
Conformità & Codici di Esportazione
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| RoHS | ROHS Compliant |
| ECCN | EAR99 |
| CNHTS | 8541290000 |
| USHTS | 8541290095 |
| TARIC | 8541290000 |
| Tipo | Dettagli |
|---|---|
| CAHTS | 8541290000 |
| BRHTS | 85412910 |
| INHTS | 85412900 |
| MXHTS | 8541.29.99 |