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ANHI ASD65R350E

Hersteller
ANHIAsian Brands
Herst.-Teilenr.
ASD65R350E
LCSC-Nr.
C5440010
Verp.
TO-252
Kundennummer
Hauptmerkm.
MOSFET N-CH 700V 11A TO-252
DatenblattANHI ASD65R350E
Alternativteile1
Garantie auf jede Bestellung
100% Authentisch · 30-Tage-Rückgabe oder -Umtausch

Produktspezifikationen

Alle
TypBeschreibung
KategorieDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
HerstellerANHI
Verp.TO-252
Output Capacitance(Coss)59pF
Ciss-Input Capacitance901pF
Pd - Power Dissipation83W
Configuration-
Drain to Source Voltage700V
Operating Temperature-55℃~+150℃
Current - Continuous Drain(Id)11A
Reverse Transfer Capacitance (Crss)5.3pF
RDS(on)350mΩ
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)22nC
Vgs±20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))3.5V
TypeN-Channel

Merkmale

KI-Übersetzung
  • Low drain-source on-resistance: RDS(ON)=0.318Ω (typ.)
  • Easy to control Gate switching
  • Enhancement mode: Vth =2.8 to 4.2V

Anwendungen

KI-Übersetzung
  • For PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching PWM
  • For e.g. PC, Silverbox, Adaptor, LCD & PDP TV, Lighting, Server power, Telecom power and UPS application