LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
onsemi NJVNJD35N04T4G product image
Zdjęcia poglądowe

onsemi NJVNJD35N04T4G

Producent
onsemi
Nr części prod.
NJVNJD35N04T4G
Nr LCSC
C904736
Opak.
DPAK
Numer Klienta
Klucz. cechy
NPN Darlington Power Transistor
Karta Katalogowaonsemi NJVNJD35N04T4G
Zgodność z RoHS4 dokumentów dostępnych
Części alternatywne3
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors
Producentonsemi
Opak.DPAK
Vbe Saturation(VBE(sat))2V
Current - Collector Cutoff50uA
Operating Temperature-65℃~+150℃
Vbe On(VBE(on))2V
Transition frequency(fT)90MHz
Collector - Emitter Voltage VCEO350V
Emitter-Base Voltage VEBO5V
DC Current Gain2000
Current - Collector(Ic)4A
Pd - Power Dissipation45W
typeNPN
Vce Saturation(VCE(sat))1.5V
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >

Opis

Tłumaczenie AI

This high-voltage power Darlington transistor is designed for inductive applications such as electronic ignition, switching regulators, and motor control.

Funkcje

Tłumaczenie AI
  • Excellent safe operating area
  • High V<sub>CE</sub>; high current gain
  • NJ V prefix for automotive and other applications requiring unique production site and change control requirements; AEC-Q101 qualified with PPAP documentation available
  • These devices are lead-free

Zastosowania

Tłumaczenie AI
  • Internal combustion engine ignition control - Switching regulators - Motor control - Lamp ballasts - Strobe lights