LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
Koszyk
onsemi FDB3632 product image
Zdjęcia poglądowe

onsemi FDB3632

Producent
onsemi
Nr części prod.
FDB3632
Nr LCSC
C898557
Opak.
D2PAK-3
Numer Klienta
Klucz. cechy
310W 100V 7.5mΩ@10V 1 N-channel N-Channel D2PAK-3 Single FETs, MOSFETs RoHS
Karta Katalogowaonsemi FDB3632
Zgodność z RoHS4 dokumentów dostępnych
Części alternatywne5
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
Producentonsemi
Opak.D2PAK-3
Output Capacitance(Coss)820pF
Ciss-Input Capacitance6nF
Pd - Power Dissipation310W
Configuration-
Operating Temperature-55℃~+175℃
Drain to Source Voltage100V
Current - Continuous Drain(Id)12A;80A
Reverse Transfer Capacitance (Crss)200pF
RDS(on)7.5mΩ@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)110nC@10V
Vgs±20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
TypeN-Channel
Pomoc i opiniePokaż podobne produkty (0) >

Opis

Tłumaczenie AI

This N-channel MOSFET is manufactured using an advanced Power Trench process, specifically engineered to minimize on-resistance while maintaining superior switching performance.

Funkcje

Tłumaczenie AI
  • RDS(ON) = 7.5 mΩ (typical), VGS = 10 V, ID = 80 A
  • Qg(tot) = 84 nC (typical), VGS = 10 V
  • Low Miller charge
  • Low Qrr body diode
  • UIS capability (single pulse and repetitive pulse)
  • Lead-free and RoHS compliant

Zastosowania

Tłumaczenie AI
  • Synchronous rectification
  • Battery protection circuits
  • Motor drivers and UPS
  • Micro solar inverters