onsemi SBC847BPDXV6T1G

Producent	onsemi
Nr części prod.	SBC847BPDXV6T1G
Nr LCSC	C895178
Opak.	SOT-563
Numer Klienta
Klucz. cechy	200 357mW 45V NPN+PNP 100mA SOT-563 Bipolar Transistor Arrays RoHS
Karta Katalogowa	onsemi SBC847BPDXV6T1G
Zgodność z RoHS	4 dokumentów dostępnych

Specyfikacje Produktu

Wszystko

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays
Producent	onsemi
Opak.	SOT-563
Current - Collector Cutoff	15nA
DC Current Gain	200
Pd - Power Dissipation	357mW
Collector - Emitter Voltage VCEO	45V
Transition frequency(fT)	100MHz
type	NPN+PNP
Vce Saturation(VCE(sat))	600mV
Current - Collector(Ic)	100mA
Operating Temperature	-55℃~+150℃

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays
Producent	onsemi
Opak.	SOT-563
Current - Collector Cutoff	15nA
DC Current Gain	200
Pd - Power Dissipation	357mW

Gwarancja na każde zamówienie

100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni

Brak w magazynie

Powiadom mnie

Minimum: 5Wielokrotność: 5Jednostka sprzedaży: Piece

Dodaj do Listy BOM

Szt.	Cena jedn.(Tylko do wglądu)	Suma całkowita
5+	$ 0.2586	$ 1.29
50+	$ 0.2174	$ 10.87
150+	$ 0.1997	$ 29.96
500+	$ 0.1777	$ 88.85
2,500+	$ 0.1679	$ 419.75
4,000+	$ 0.162	$ 648.00
Standardowa Obudowa4000/Full Reel

Lepsza cena za większą ilość?

$

Wszystko

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays
Producent	onsemi
Opak.	SOT-563
Current - Collector Cutoff	15nA
DC Current Gain	200
Pd - Power Dissipation	357mW
Collector - Emitter Voltage VCEO	45V
Transition frequency(fT)	100MHz
type	NPN+PNP
Vce Saturation(VCE(sat))	600mV
Current - Collector(Ic)	100mA
Operating Temperature	-55℃~+150℃

Typ	Opis
Kategoria	Discrete Semiconductors/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar Transistor Arrays
Producent	onsemi
Opak.	SOT-563
Current - Collector Cutoff	15nA
DC Current Gain	200
Pd - Power Dissipation	357mW