LCSC Electronics logoLCSC Electronics svg logo
Zaloguj
USD
onsemi NVMYS5D3N04CTWG product image
Zdjęcia poglądowe

onsemi NVMYS5D3N04CTWG

Producent
Nr części prod.
NVMYS5D3N04CTWG
Nr LCSC
C894203
Opak.
LFPAK-4(5x6)
Numer Klienta
Klucz. cechy
40V 5.3mΩ@10V 1 N-channel N-Channel LFPAK-4(5x6) Single FETs, MOSFETs RoHS
Karta Katalogowaonsemi NVMYS5D3N04CTWG
Zgodność z RoHS4 dokumentów dostępnych
Części alternatywne5
Gwarancja na każde zamówienie
100% Oryginalne · Zwrot lub Wymiana w ciągu 30 Dni

Specyfikacje Produktu

Wszystko
TypOpis
KategoriaDiscrete Semiconductors/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs
Producentonsemi
Opak.LFPAK-4(5x6)
Output Capacitance(Coss)530pF
Ciss-Input Capacitance1nF
Pd - Power Dissipation3.6W;50W
Configuration-
Operating Temperature-55℃~+175℃
Drain to Source Voltage40V
Current - Continuous Drain(Id)19A;71A
Reverse Transfer Capacitance (Crss)22pF
RDS(on)5.3mΩ@10V
Number1 N-channel
Gate Charge(Qg)16nC@10V
Vgs±20V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))3.5V
TypeN-Channel

Funkcje

Tłumaczenie AI
  • Compact size (5x6 mm) for space-constrained designs
  • Low on-resistance RDS(on) minimizing conduction losses
  • Low gate charge QG and capacitance minimizing drive losses
  • LFPAK4 package, industry standard
  • AEC-Q101 qualified, PPAP documentation available
  • Lead-free, RoHS compliant